Td corrigé J. Pelleg Mechanical Properties of Ceramics (Springer, 2014) pdf

J. Pelleg Mechanical Properties of Ceramics (Springer, 2014)

TD. TP. Autres. Continu. Examen. UE fondamentales. UEF3(O/P). PA/UEF.3a : Propriétés ..... D. H. Diep Physique de la matière condensée- cours, exercices et problèmes corrigés ( 2003 ) ... C. Kittel Solid state physics (J. Wiley & Sons, 2003) .




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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR
ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE





HARMONISATION

OFFRE DE FORMATION MASTER


ACADEMIQUE/PROFESSIONNALISANT



EtablissementFaculté / InstitutDépartement
Université Badji Mokhtar - Annaba

Faculté des Sciences
Physique

Domaine : Sciences de la Matière (SM)

Filière : Physique

Spécialité : Physique Appliquée (PA)


Intitulé du parcours : Physique et Applications des Semi-conducteurs et Composants (PASC)


Année universitaire : 2016/2017


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'D3F) 'D,'E9J): 2017/2016




















II  Fiche d organisation semestrielle des enseignements
(Prière de présenter les fiches des 4 semestres)






















1- Semestre 1 :

Unité d’EnseignementVHSV.H hebdomadaireCoeffCréditsMode d'évaluation14-16 semCTDTPAutresContinuExamenUE fondamentalesUEF1(O/P)PA/UEF.1a : Propriétés physiques des solides45h1h 301h 303h2550%50%PA/UEF.2b : Interaction rayonnement-matière45h1h 301h 301h302450%50%UEF2(O/P)PA/UEF.2a : Spectroscopie atomique et moléculaire45h1h301h 301h302450%50%PA/UEF.1b : Physique statistique approfondie 67h 301h 301h301h 303h2550%50%UE méthodologieUEM1(O/P)PA/UEM.1a: Application du Fortran à la caractérisation des composants52h 301h 302h2h302550%50%PA/UEM.1b: Utilisations des TIC 52h 301h 302h2h2450%50%UE découverteUED1(PA/UED.1)PA/UED.1 : Nouvelles découvertes des supraconducteurs22h 301h 301h30h11100%UE transversalesUET1(O/P)PA/UET.1a: Communication22h 301h 301h30h11100%PA/UET.1b : Anglais scientifique et technique I22h301h 301h3011100%Total Semestre 1375h 202h3090h82h30270h1530375h + 270h = 645 h





2- Semestre 2 :
Unité d’EnseignementVHSV.H hebdomadaireCoeffCréditsMode d'évaluation14-16 semCTDTPAutresContinuExamenUE fondamentalesUEF3(O/P)PA/UEF.3a : Propriétés physiques des semi-conducteurs45h1h 301h 303h2450%50%PA/UEF.3b : Physique et applications des Semi-conducteurs amorphes45h1h 301h 303h2450%50%UEF4(O/P)PA/UEF.4a : Technologie des semi-conducteurs45h1h 301h 301h302420%80PA/UEF.4b : Micro-caractérisations non-destructive des matériaux67h 301h 301h 301h 304h3640%60%UE méthodologieUEM2(O/P)PA/UEM.2a: Techniques expérimentales45h1h 301h 301h302450%50%PA/UEM.2b: Initiation aux logiciels libres45h 1h301h 301h301350%50%PA/UEM.2c: Logiciels traceurs de courbes et grapheurs15h1h 1h301250%50%UE découverteUED2(PMC/UED.1)PA/UED.2 : Applications des nano-semi-conducteurs22h 301h 301h11100%UE transversalesUET2(O/P)PA/UET.2a: Législation22h 301h 3030 m11100%PA/UET.2b : Anglais scientifique et technique II22h301h 301h3011100%Total Semestre 2375h217h3067h3090h285h1530375h + 285h = 660h






3- Semestre 3 :
Unité d’EnseignementVHSV.H hebdomadaireCoeffCréditsMode d'évaluation14-16 semCTDTPAutresContinuExamenUE fondamentalesUEF5(O/P)PA/UEF.5a : Composants photo-actifs45h1h 301h 303h2450%50%PA/UEF.5b : Composants unipolaires67h 301h 301h 301h 304h3640%60%UEF6(O/P)PA/UEF.6a : Composants photoniques45h1h 301h 301h302450%50%PA/UEF.6b : Circuits intégrés et basse dimensionnalité45h1h 301h 303h2450%50%UE méthodologieUEM3(O/P)PA/UEM.3a: Technologie des composants via SILVACO45h1h 301h301250%50%PA/UEM.3b: Utilisation du Matlab45h 1h301h 301h301450%50%PA/UEM.3c: Méthodologie de la recherche15h1h 301h1h301350%50%UE découverteUED3(PEMC/UED.1)PA/UED.3 : Outils de rédaction scientifique22h 301h 301h11100%UE transversalesUET3(O/P)PA/UET.3a: Entrepreneuriat et gestion de projet22h 302h1h11100%PA/UET.3b : Préparation à la vie active22h301h1h3011100%Total Semestre 3375h202h3090h82h30292h301530375h + 292h30h = 667h 30

4- Semestre 4 :

Domaine  : Sciences de la matière
Filière : Physique
Spécialité : Physique Appliquée

Ce semestre est consacré à la préparation du mémoire de fin d’étude. Chaque étudiant doit individuellement développer un travail fondamental et technique répondant à une problématique donnée. Chaque projet est placé sous la responsabilité d'un enseignant d’un Laboratoire de Recherche. Ainsi, l’étudiant sera orienté vers un produit, un procédé ou une caractérisation. Le projet comporte une partie recherche bibliographique et une autre recherche fondamentale ou appliquée.

En fin du semestre, le travail sera sanctionné par un mémoire et une soutenance orale devant une commission d'examen. A ce titre l’étudiant est évalué comme suit:
La qualité de la recherche bibliographique effectuée.
La valeur scientifique et technique des études et/ou analyses réalisées.
La qualité de la rédaction.
La qualité de la présentation orale.
La note donnée par la commission constituera la note globale du semestre

Stage au sein des Laboratoires de Recherche impliqués dans cette formation sanctionné par un mémoire et une soutenance.

VHSCoeff CréditsTravail Personnel20hx14=280hStage en entrepriseSéminairesAutre (préciser)Au Laboratoire: 25x14=350hTotal Semestre 4630h30

5- Récapitulatif global de la formation : (indiquer le VH global séparé en cours, TD, pour les 04 semestres d’enseignement, pour les différents types d’UE)

 UE
VHUEFUEMUEDUET
ProjetTotalCours270h150h67h30135h622h 30TD247h 300h0h0h247h 30TP90h165h0h0h255hTravail personnel480h202h 3052h30112h30280h1127h 30Autre (préciser)--------350h350hTotal1087h 30517h 30120h247h30630h2602h 30Crédits54276330120% en crédits pour chaque UE45 %22,5 %5 %2,5 %25%100 %

























III - Programme détaillé par matière
(1 fiche détaillée par matière)



















Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l’UE : PA/UEF1
Intitulé de la matière : Propriétés physiques des solides
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière porte principalement sur l’acquisition des connaissances de base : Structures cristalline, Phénomènes de transport, Vibrations atomiques, etc.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Contenus de la formation Licence

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Structure cristalline (La symétrie dans la structure, Théorie de groupe, Détermination de la structure, Structure et théorie des bandes dans les Semi-conducteurs
Les états d'électrons dans le cristal (Approximations: l'électron libre, presque libre, fortement lié et LCAO).
Effet des défauts (Dopage, niveaux d’énergie peu profonds, concentration des porteurs en fonction de la température et densités des impuretés).
Transport électronique: Théorie de Drude, temps de relaxation, Mobilité, Conductivité à haute fréquence. Transport en champs magnétique, effet Hall, introduction aux phénomènes Modes de vibrations d’un réseau périodique: Modes acoustiques et modes optiques, quantification des vibrations. Effet de la température : Chaleur spécifique des solides, température de Debye.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu, 50%
Examen, 50%
Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
D. H. Diep Physique de la matière condensée- cours, exercices et problèmes corrigés ( 2003 )
R.A.L.Jones, R.Jones Soft condensed matter (2002)
R. Turton The physics of solids (Oxford Univ. Press 2002)
M. P. Marder Condensed matter physics (2000)
D. Y. Michaud Les états de la matière (Odile Jacob, 2002)
P. Philips Advanced solid state physics (Westview Press)
C. Kittel Solid state physics (J. Wiley & Sons, 2003)
J. Cazeaux Initiation à la physique du solide ( Dunod, 1996)
D. M. de Podesta Understanding the properties of matter (Taylor & Francis, 2002)

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l’UE : PA/UEF1
Intitulé de la matière : Interaction rayonnement - matière
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière porte principalement sur l’acquisition des connaissances fondamentales des structures atomiques, interaction rayonnement matière, et technique de caractérisation.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Contenus de la formation Licence

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Rayonnement électromagnétique : Introduction. Production et classification des ondes électromagnétiques, Propriétés comparées des rayonnements (Lumière, RX, etc.). Rappel sur la propagation des ondes EM. Phénomènes de luminescence, Fluorescence et Phosphorescence, Luminescence des ions de terres rares).
Structure atomique : Atomes à 1, 2 et n électrons - Déterminants de Slater -Termes spectraux - Couplage LS, couplage jj - Structure fine - Structure hyperfine -Couplage avec un champ électrique ou magnétique.
Caractérisation de la matière avec des rayonnements : Spectroscopie des RX (Diff., EXAFS, XPS, etc.), Spectroscopie à électrons (MEB, MET, Microsonde électronique, etc.), Méthodes de résonance (RMN, RPE, Mössbauer).

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu, 50%
Examen, 50%

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- B. Grossetete, F. Vanucci, Interactions et Particules, (Eyroles, 1991).
- G. Gryubert et al, Introduction aux Lasers et A l’optique Quantique, (Ellipses, 1997).
- Elements Pratiques De Spectrographie d’émission, (C.E.A, Eyrolles, Paris, 1979).
- C. Leroy et al, Principles of radiation interaction in matter and detection, (HYPERLINK "http://books.google.com/url?id=IS6oppRORgEC&pg=PP1&q=http://www.wspc.com&linkid=1&usg=AFQjCNG20G7npnY8qh5Pjx5DZXn2bT1Gpg&source=gbs_pub_info_s&cad=6"World Scientific-2004).
- HYPERLINK "http://www.worldcat.org/search?q=au%3AV++V+Balashov&qt=hot_author" \o "Chercher pour d'autres ouvrages de cet auteur"V. V Balashov, Interaction of particles and radiation with matter (Springer-1997)
 - F. A. Smith A Primer in Applied Radiation Physics (HYPERLINK "http://books.google.com/url?id=R7VDv3_xHMQC&pg=PP1&q=http://www.wspc.com&linkid=1&usg=AFQjCNG20G7npnY8qh5Pjx5DZXn2bT1Gpg&source=gbs_pub_info_s&cad=6"World Scientific-2000)
- Interaction of Radiation with Condensed Matter Lectures Presented, (HYPERLINK "http://books.google.com/books?q=inpublisher:%22International+Atomic+Energy+Agency%22&lr=&source=gbs_summary_r&cad=0"International Atomic Energy Agency-1977).


Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l’UE : PA/UEF2
Intitulé de la matière : Physique statistique approfondie
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
L’objectif principal visé est d’apporter un complément de connaissance aux enseignements dispensés en Licence. Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la compréhension du lien entre la thermodynamique (science expérimentale dont les grandeurs sont macroscopiques) avec la statistique qui tire ses notions des grandeurs microscopiques et retrouver les lois et les grandeurs issues des deux sciences.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Les gaz parfait et réel, les différents cycles et les différentes distributions.

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
I- Approche statistique de la Physique
- La physique statistique : Introduction ; Description de l'état et de l'évolution d'un système physique ; Description microscopique d'un système physique. Notion de densité d'état.
- Eléments de théorie de probabilité : Analyse combinatoire et distribution binomiale ; Distribution binomiale dans l'approximation de grands systèmes ; Marche au hasard et mouvement brownien.

II- Théorie cinétique des gaz : Considérations générales ; théorie cinétique comme exemple ; modèle de la méthode statistique ; Hypothèses de travail ; Propriétés liés au champ de vitesses du gaz. ; Calcul de la pression du gaz ; Loi d'état du gaz et conséquences ; Théorie de Maxwell ; Fonction de distribution des vitesses et interprétation ; Notion de vitesse la plus probable, vitesse moyenne et vitesse efficace ; Applications.

III- Théorie du transport : Considérations générales sur le phénomène de transport (diffusion) et le phénomène de propagation ; Notion de libre parcours moyen et diamètre de protection moléculaire ; Notion de flux de matière, chaleur, quantité de mouvement ; Lois de Fourier, Fick et Newton ; Equations de diffusion de masse et de chaleur ; Equation de quantité de mouvement ; Application à la transmission de chaleur, diffusion de masse, écoulement dans un conduit, etc.
IV- Ensembles statistiques et applications : Ensemble statistique d'équilibre ; Distribution micro canonique ; Distribution canonique. ; Distribution grand canonique ; Distribution canonique et thermodynamique ; Propriétés générales de la distribution canonique et sa relation avec la distribution micro canonique ; Calcul de l'énergie libre du gaz parfait - Paradoxe de Gibbs ; Gaz réel ; Application des théorèmes de l'équipartition de l'énergie et du Viriel aux systèmes concrets.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu, 50%
Examen, 50 %
Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- K. F. Brenann et al. “Theory of modern electronic semiconductor devices” (Wiely, 2000)
- D. K. Ferry & P. Hess (ed.) “Semiconductor transport” (Taylor & Francis, 2000)
- W. L. Neise & H. Stöcker, Thermodynamics and statistical mechanics, (HYPERLINK "http://books.google.com/url?id=12DKsFtFTgYC&pg=PP1&q=http://www.springer.com&linkid=1&usg=AFQjCNHjnASwg1IfXr99II9dVPxOS7Qr9Q&source=gbs_pub_info_s&cad=6"Springer-1995)
- R. Chahine, P. Devaux, Thermodynamique Statistique, (Dunod, 1976).
- E. Belorizky, W. Gorecki, Introduction à La Mécanique Statistique, (Grenoble Sci., 1992.
Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l’UE : PA/UEF2
Intitulé de la matière : Spectroscopie atomique et moléculaire
Crédits : 6
Coefficients : 3

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur l’acquisition des connaissances de base de la spectroscopie et des théories de perturbation.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Contenus de la formation Licence

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Orbitales atomiques (Etats quantiques et fonctions d’onde, Spin : expérience de Stern-Gerlach, effets magnéto-mécaniques, moment cinétique total, formule de la structure fine, correction relativiste, couplages orbite-orbite (jj), spin-orbite; Propriétés magnétiques des atomes ; Probabilités de transitions et règles de sélection ; Emission stimulée : effet laser.
Spectres atomiques (Rappels ; Spectres de l’hydrogène, de l’hélium, des alcalins, des ions, des Actions de champs extérieurs (Action d’un champs électrique : Effet Stark, Action d’un champ magnétique : Effets Zeeman et Paschen-Back).
Niveaux d’énergie des atomes à électrons multiples (Théorie des perturbations pour des valeurs propres simples ; Théorie des perturbations pour les niveaux dégénérés : approximations de Hartree, Hartree-Fock, Slater-Zenner, etc.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu, 50%
Examen, 50 %

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- J. Michael Hallas, Spectroscopie, (Dunod Université, 1998).
- D. Papousek, M. R. Aliev, Molecular Vibrational Rotational Spectra, (Elsevier, 1982).
- V. M Agranovich, A. A Maradudin, Spectroscopy and Excitation Dynamics of Condensed Molecular Systems, (North Holland, 1983).
- S. Svanberg, Atomic and Molecular Spectroscopy: Basic Aspects and Practical Applications (HYPERLINK "http://books.google.com/url?id=4uLdXjnKGKwC&pg=PP1&q=http://www.springer.com&linkid=1&usg=AFQjCNHjnASwg1IfXr99II9dVPxOS7Qr9Q&source=gbs_pub_info_s&cad=6"Springer 2004)
- J W. Robinson, Atomic Spectroscopy, (HYPERLINK "http://books.google.com/url?id=BNqp0RO7DXcC&pg=PP1&q=http://www.crcpress.com&linkid=1&usg=AFQjCNG9sb7YhmU3fNfZ2en-vuWw5jeLKQ&source=gbs_pub_info_s&cad=5"CRC Press-1996)
- M. Dekker HYPERLINK "http://books.google.com/books?id=BoYvAAAAIAAJ&dq=atomic+spectroscopy&source=gbs_other_versions_sidebar_s&cad=6" \o "Atomic Spectroscopy"Atomic Spectroscopy, (Inc – 1990)
- A. V. Andreev, Atomic Spectroscopy: Introduction to the Theory of Hyperfine Structure, 2005)
- Z. Bronislavovich, R. Harald, Theoretical Atomic Spectroscopy (HYPERLINK "http://books.google.com/url?id=o4ZgQWGybIcC&pg=PP1&q=http://www.cambridge.org&linkid=1&usg=AFQjCNG09kyD4DPpLoAY6qAmVXeSt3vuoQ&source=gbs_pub_info_s&cad=6"Cambridge U. P. 1997).

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l’UE : PA/UEM1
Intitulé de la matière : Application du FORTRAN à la caractérisation des composants
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
L’objectif principal visé par cette matière est l’utilisation du langage FORTRAN afin de simuler quelques caractéristiques de composants. Ainsi, les compétences apportées portent principalement sur l’acquisition des connaissances d’analyse et de simulations.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Notions de base de l’informatique

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)

Rappels sur le FORTRAN.
Simulation des caractéristiques de la jonction pn.
Simulation de l’effet photovoltaïque.
Simulation des effets de la température, des résistances série et des résistances. shunt sur les caractéristiques des cellules solaires.
Simulation des caractéristiques des transistors Bipolaires, MESFET, MOSFE, etc.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu, 50%
Examen, 50 %

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
Decock, P. Zabierowski, M. Burgelman, "Modeling metastabilities in chalcopyrite-based thin film solar cells", Journal of Applied Physics, 111 (2012) 043703. HYPERLINK "http://www.elis.ugent.be/ELISgroups/solar/projects/scaps/Decock%20JAP%202012.pdf"(Full text, pdf).
Nadita Dasgupta and Amitava Dasgupta, Semiconductors devices modelling and technology, Printice-Hall of India, New Delhhi, 2007.
A. Sari-Ali, B. Benyoucef, B. Chikh-Bled, Etude de la junction PN d’un semiconducteur l’équilibre thermodynamique, Journal of electron device vol5, 2007, pp. 122-126.
Niemegeers and M. Burgelman, "Numerical modelling of ac-characteristics of CdTe and CIS solar cells", Proc. 25nd IEEE Photovol-taic Specialists Conference (Washington D.C., april 1996), pp. 901-904, IEEE, New-York, 1996 HYPERLINK "http://www.elis.ugent.be/ELISgroups/solar/projects/scaps/Niemegeers%20Washington%201996.pdf"(Full text, pdf)
Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l’UE : PA/UEM1
Intitulé de la matière : Utilisation des TICs
Crédits : 3
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la familiarisation avec les technologies de l’Information et de communication.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Notions de base d’informatique

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Préparation au travail à distance : initiation au monde virtuel, création d’une adresse électronique professionnelle, etc.
Présentation de plateformes d’enseignement : Alif, Moodle, ACOLAD, etc.
Utilisation des fonctionnalités d’un espace de travail virtuel
Communication à distance : mail, wiki, versionning, etc.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu, 50%
Examen, 50 %

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
Guide d’utilisation des plateformes d’enseignement : ACOLAD, Moodle, Alf, etc.
Caron, Pierre-André. "Ingénierie dirigée par les modèles pour la construction de dispositifs pédagogiques sur des plateformes de formation." PhD diss., Université des Sciences et Technologie de Lille-Lille I, 2007.
Catteau, Olivier, Philippe Vidal, Daniel Marquié, and Julien Broisin. "Production et gestion collaboratives d'objets pédagogiques dans le cadre d'un dispositif international de FOAD." Distances et savoirs 5, no. 2 (2007): 201-230.
Paquette, Gilbert. "Apprentissage sur l’Internet: des plateformes aux portails à base d’objets de connaissance." Innovations et tendances en technologies de formation et d’apprentissage (2005): 1-30.
Talon, Bénédicte, Claudine Toffolon, and Bruno Warin. "Projet en milieu universitaire: vers une gestion collaborative assistée par le Web." Revue internationale des technologies en pédagogie universitaire 2, no. 2 (2005): 28-33.


Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l’UE : PA/UED1
Intitulé de la matière : Nouvelles découvertes des supraconducteurs
Crédits : 1
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
La matière vise principalement la découverte des nouvelles applications de la supraconductivité.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Contenus de la formation Licence

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Introduction à la supraconductivité: historique, découverte de la supraconductivité à basses températures de transition Tc, etc.
Supraconducteurs conventionnels: Matériaux, comportement magnétique applications ; limitation de Tc par la théorie BCS.
Découverte des supraconducteurs à haute Tc : Matériaux à haute Tc ; applications principales

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu, 50%
Examen, 50 %

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
Forta, A. chaves, W. P. Ferreira, G. A. Ferias, and M.V. Milosevich, Journal of Applied Physics 119, 093912, 2016.
R. Marjiah, E. Sabag, and A. Hayet, Light amplification in semiconductor-superconductor structure, New J. of phys 18, 2016.
L. Tomokow, M. Ciszek, and M. chorowski, Combined magnetique screen made of Bi2223 bulk cylinder and YBCO yape rings :modeling and experiments, Journal of Applied Physics 117,043901, 2015.
P.H. Le, W. Y. Tzeng, H. J. Chen, C. W. Luo, and J. Leu, Superconductivity in textured Bi cluster-BiTe3 films, APL material 2,096105, 2014.
W. M. Faisal and S. K. J. Al Ani, Enhanced superconducting properties of the Pb doped trilayer high temperature Bi2Sr2Ca(n-1)CunO2n+4´ , International Journal of the Physical Sciences vol 7 (2), pp:171-181, 2012.


Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S1
Intitulé de l UE : PA/UET1
Intitulé de la matière : Communication
Crédits : 1
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Analyser les objectifs de la communication interne et externe et présenter les méthodologies nécessaires pour conduire les principales actions de communication.
- Capacité de bien communiquer oralement et par écrit 
- Capacité de bien présenter et de bien s’exprimer en public
- Capacité d’écoute et d’échange
- Capacité d’utiliser les documents professionnels de communication interne et externe
- Capacité de rédiger des documents professionnels de communication interne et externe


Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Les bases linguistiques

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Renforcement des compétences linguistiques
Les méthodes de la Communication
Communication interne et externe
Techniques de réunion
Communication orale et écrite

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Examen

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UEF3
Intitulé de la matière : Propriétés physiques des semi-conducteurs
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur  la maîtrise des propriétés des semi-conducteurs pour des applications spécifiques.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Contenus de la formation Licence

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
- Rappel des statistiques dans les semi-conducteurs. 
- Propriétés électriques: conductivité électrique, thermique et dans un champ fort, mobilité, temps de relaxation, effets thermoélectriques.
- Propriétés optiques: Absorption des excitons, transitions directes et indirectes, effets photoélectriques, photoconductivité, photoluminescence.
- Génération et recombinaison: Principe d’équilibre détaillé, les quasi-niveaux de Fermi, niveau de démarcation, temps de relaxation, génération
- Propriétés magnétiques.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu
Examen

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- P. Y. Yu & M. Cardona “Fundamental of Semiconductors  (Springer N. Y. 2001 )
- J. P. Colingue, et al. Physique des dispositifs à Semiconducteurs  (DeBoeck, 1996 )
- J. Singh, “Semiconductor devices” (Wiley & Sons, N. Y. 2001)
- M. BalkaskiI & R. E. Wallis “Semiconductor Physics And Applications” (Oxford 2000)
- D. A. Neamen “Semiconductor physics devices” (McGraw Hill, Boston 2003)
- D. K. FERRY & P. HESS (ed.) “Semiconductor transport” (Taylor & francis, 2000)
- K. F. Brenann et al. “Theory of modern electronic semiconductor devices” (Wiley 2000)
- W. SCHAFER et al. “Semiconductor optics and transport phenomena” (Springer 2002)
- K. Seeger Semiconductor physics (Springer Verlag 2004)
- O. Madelung Semiconductors: Data handbook (Springer Verlag 2004)
- DB. Sapoval & C. Hermann Physics of semiconductors (Taylor & Francis, 2003 )
- P. Y. Yu & M. Cardona Fundamentals of semiconductors: Physics and materials properties.



Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UEF3
Intitulé de la matière : Physique et applications des semi-conducteurs amorphes
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement.
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la compréhension des semi-conducteurs amorphes, leurs propriétés et leurs applications.

Connaissances préalables recommandées.
Propriétés physiques du solide

Contenu de la matière
1) Introduction : Types de désordre, classification, méthodes de détermination de la structure. (2) Structure électronique : Effet du désordre, location d’Anderson, (3) Techniques de préparation: Evaporation thermique, Glow discharge, pulvérisation, CVD, Préparation du verre (4) Propriétés électriques (théorie et expérience) : Modèle de la densité d’état, mobilité, conductivité, pouvoir thermoélectrique, effet Hall, (5) Dopage : techniques de dopages, propriétés électroniques des semi-conducteurs dopés. (6) Propriété optiques. (7) Applications des S/C amorphes : Jonction p-n amorphes, Barrière amorphe, les diodes, Cellules solaires, Electro-photographie, Imagerie, Transistors : FET, application des FET dans les cristaux liquides et circuits logiques.

Mode d’évaluation : 
Contrôle continu + exposé (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=ntt_athr_dp_sr_1?_encoding=UTF8&field-author=Zbigniew%20H.%20Stachurski&search-alias=digital-text&sort=relevancerank"Z. H. STACHURSKI Fundamentals of Amorphous Solids: Structure and Properties (Wiley-2015)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=rdr_ext_aut?_encoding=UTF8&index=books&field-author=S%C3%A1ndor%20Kugler"S. KUGLER, HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=rdr_ext_aut?_encoding=UTF8&index=books&field-author=Koichi%20Shimakawa"K. SHIMAKAWA Amorphous semiconductors (Cambridge University Press 2015)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_1?ie=UTF8&field-author=Norman+H.+March&search-alias=books-fr-intl-us&text=Norman+H.+March&sort=relevancerank"N. H. MARCH Amorphous Solids and the Liquid State (Springer-Verlag New York Inc. 2013)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/Victor-I-Mikla/e/B00357BIGA/ref=ntt_athr_dp_pel_1"V. I. MIKLA et al Amorphous Chalcogenides: Past, Present & Future (Elsevier 2011)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_1?ie=UTF8&field-author=Frederic+P.+Miller&search-alias=books-fr-intl-us&text=Frederic+P.+Miller&sort=relevancerank"F. P. MILLER, HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_2?ie=UTF8&field-author=Agnes+F.+Vandome&search-alias=books-fr-intl-us&text=Agnes+F.+Vandome&sort=relevancerank"A. F. VANDOME & HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_3?ie=UTF8&field-author=John+McBrewster&search-alias=books-fr-intl-us&text=John+McBrewster&sort=relevancerank"J. MCBREWSTER Amorphous Solids (Alphascript Pub 2010)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/Keiji-Tanaka/e/B006WU45B2/ref=ntt_athr_dp_pel_1"K. TANAKA et al. Amorphous Chalcogenide Semiconductors & Related Materials (Springer 2011)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=ntt_athr_dp_sr_1?_encoding=UTF8&field-author=M.F.%20Thorpe&search-alias=digital-text&sort=relevancerank"M. F. THORPE & HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=ntt_athr_dp_sr_2?_encoding=UTF8&field-author=Ladislav%20Tich%C3%BD&search-alias=digital-text&sort=relevancerank"L. TICHÝ Properties and Applications of Amorphous Materials (Springer 2001)
- D. J. Singh & K. Shimakawa, Advances in amorphous semiconductors (CRSC Press, 2003)
- P. M. ROSSI, Disordered materials (Springer Verlag, Berlin, 2003)
- K. Morigaki, Physics of Amorphous semiconductors, (World Scientific, N. Y. 1999)
- R. A. Street, Technology and applications of amorphous silicon (Springer Verlag, Berlin, 1999)
- N. F. MOTT & E. A. DAVIS, Electronic peocesses in noncrystalline materials (U. P. Oxford, 1979)
- J. I. Pankove (ed.) Hydrogenated amorphous silicon: 4 parts (Academic Press, N. Y. 1984)
- M. BRODSKY(ed.) Amorphous semiconductors (Springer Verlag, Berlin 1979)
- J. D. JOANNNAPOULOS et al, The physics of hydrogenated amorphous silicon (Springer, 1984)
- W. A. PHILIPS (ed.) Amorphous solids (Springer Verlag, Berlin, 1981).

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UEF4
Intitulé de la matière : Technologie des semi-conducteurs
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la maîtrise des méthodes d’élaborations des semi-conducteurs massifs et en couches minces.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Contenus de la formation Licence

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
1) Croissance cristalline, (2) Techniques du Vide, (3) Différentes méthodes de préparation  des monocristaux et des polycristaux. (4) Purification. (5) Traitement des Substrats : Découpage des lingots, polissage mécanique et chimique (6) Grossissement des grains (7) Traitements thermiques (8) Croissance en Phase Vapeur et en bain fondu
(9) Technologie de dopage (Diffusion, implantation ionique, etc.) (10) Matériaux en couches minces (Techniques de dépôt des couches , Applications des couches minces).

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- G. S. May Fundamentals of semiconductor fabrication (J. Wiley & Sons, 2003)
- S. M. Sze Semiconductor devices: Physics and technology ( J. Wiley, 2002 )
- R. A. Street Technology and applications of amorphous Si (Springer-Verlag 1999)
- O. Madelung Semiconductors: Data handbook (Springer Verlag 2004)
- J. De Malio Molecular semiconductors: an introduction (J. Wiley & Sons, 2004)
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev & M. Shur, Handbook series on semiconductor parameters Vol. 1: Si, Ge, C, GaAS, GaAl, InAs, InP. (World Scientific 1999)
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev & M. Shur, Handbook series on semiconductor parameters Vol. 2: Ternary & Quaternary Compounds (World Scientific 1999)
- M Fogiel, Modern micrelectronic circuit design, IC applications, Fabrication technology, (REA, 1981).





















































Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UEF4
Intitulé de la matière : Application du contrôle non destructif à la microcaractérisation
Crédits : 6
Coefficients : 3

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la maîtrise des techniques ultrasonores utilisées en contrôle non destructif, particulièrement la microscopie acoustique. Par ailleurs l'étudiant apprendra à utiliser une plateforme d'enseignement du fait que le chapitre 2 sera dispensé à distance (FAD) via les TICE.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Propriétés physique du solide

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
1) Ondes élastiques : Ondes de surface, onde de volume, ondes longitudinales, ondes transversales, onde de Rayleigh, ondes de Lamb, onde de Stonnely, etc. 2) Méthodes dynamiques : CND via les ultrasons, tests vibrationnels, échographie conventionnel, micro-échographie HF, réflectométrie, spectroscopie ultrasonore, acousto-élasticité 3) Micro caractérisation acoustique: Principe de la microscopie acoustique ; Microanalyse quantitative : V(z), V(f) et qualitative : imagerie en surface, en volume. 4) Adaptation du microscope acoustique à balayage, SAM, pour des applications spécifiques : Lentille à faible angle d’ouverture, liquides lourds, lentilles annulaires, etc. 5) Applications du SAM aux matériaux massifs, couches minces, composants et circuits intégrés.

Mode d’évaluation : 
Contrôle continu + FAD (40%)
Examen (60%)
Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- J. Pelleg Mechanical Properties of Ceramics (Springer, 2014)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_1?ie=UTF8&field-author=Lawrence+E.+Murr&search-alias=books-fr-intl-us&text=Lawrence+E.+Murr&sort=relevancerank"L. E. Murr Handbook of materials structures, properties, processing & performance (Spr., 2014)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_1?ie=UTF8&field-author=Joshua+Pelleg&search-alias=books-fr&text=Joshua+Pelleg&sort=relevancerank"J. Pelleg Mechanical Properties of Materials:Solid Mechanics & its Applications (Springer, 2013)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_1?ie=UTF8&field-author=Hisaaki+Tobushi&search-alias=books-fr&text=Hisaaki+Tobushi&sort=relevancerank"H. Tobushi Mechanical Properties of Shape Memory Materials (Nova Science Publ. Inc. 2013)
- HYPERLINK "http://www.amazon.fr/s/ref=dp_byline_sr_book_1?ie=UTF8&field-author=JAMES+C.+M..+LI&search-alias=books-fr&text=JAMES+C.+M..+LI&sort=relevancerank"J. C. M. LI Mechanical Properties of Nanocrystalline Materials (Pan Stanford Publishing 2011)
- R. L. Rose Ultrasionic waves in solid media (Wiley 1999)
- Levy et al Handbook of elastic properties of solids, liquids and gases (Academic Press, 2001)
- J. D. N. Cheeke Fundamentals and applications of ultrasonic waves (CRC Press, 2002)
- C. Hellier Handbook of nondestructive evaluation
- A. Briggs Advances in acoustic microscopy, Vol. 1(Kluwer, 1995)
- A. Briggs & W. Arnold, Advances in acoustic microscopy, Vol. 2: (Kluwer, 1996)
- M. Bruneau Manuel d’acoustique fondamentale, (Hermes 1998)
- E. Dieulesaint, D. Royer, Ondes élastiques dans les solides, (Masson)
Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UEM2
Intitulé de la matière : Techniques expérimentales
Crédits : 4
Coefficients : 2


Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Des travaux pratiques sont programmés dans cette matière pour permettre aux étudiants de s’initier à des mesures concrètes utilisées notamment en recherche appliquée ou de développement.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Connaissances de base en instrumentions

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Mesure de la résistivité et la conductivité électrique en fonction de la température
Etude de la réponse spectrale et le rendement photovoltaïque des cellules solaires.
Etude de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires par la méthode du courant induit
La diode électrolytique et détermination de la longueur de diffusion
Etude de l’activité des joints de grains par la Méthode EBIC
Passivation des joints de grains
Effet des impuretés sur la qualité cristalline des composants et analyse chimique la technique SIMS
Techniques Expérimentales pour augmenter l’absorption des photons
Etude de texture par la diffraction des rayons x
Caractérisation par Microscopie électronique à Transmission et à Balayage
Caractérisation par Microscopie acoustique.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- S. M. Sze Semiconductor devices: Physics and technology ( J. Wiley, 2002 )
- R. A. Street Technology and applications of amorphous Si (Springer-Verlag 1999)
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev & M. Shur, Handbook series on semiconductor parameters Vol. 2: Ternary & Quaternary Compounds (World Scientific 1999)
- M Fogiel, Modern micrelectronic circuit design, IC applications, Fabrication technology, (REA, 1981).
Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UEM2
Intitulé de la matière : Initiations aux logiciels libres
Crédits : 3
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Se familiariser et utiliser les logiciels libres dont l’intérêt est très important particulièrement en travail collaboratif.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Connaissances de base en informatique

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
-Définition
-Règlementation : Droits d’auteurs, Licence, Diffusion, Redistribution, Accès au code source, etc.
- Systèmes d’exploitation : Famille des GNU/LINUX
- Bureautique : Editeurs de texte, HTML, Latex, PAO, etc.
- Analyse de données et simulations : GNU/OCTAVE, SCILAB, R, etc.
- Manipulation des fichiers : Gestion, Archivage, Sauvegarde, Analyse, etc.
- Réseaux de télécommunication et INTERNET.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
Armspach, Jean-Paul, Pierre Colin, and Frédérique Ostré-Waerzeggers. Linux, Initiation et utilisation-2ème édition. Dunod, 2004.
Chancelier, J-P., François Delebecque, Claude Gomez, Maurice Goursat, Ramine Nikoukhah, and Serge Steer. Introduction à SCILAB. Springer Science & Business Media, 2007.
Charles, Catherine. "Introduction à Octave." (2008).
De Micheaux, Pierre Lafaye, Rémy Drouilhet, and Benoît Liquet. Le logiciel R: Maitriser le langage-Effectuer des analyses statistiques. Springer Science & Business Media, 2011.
Husson, François, Sébastien Lê, and Jérôme Pagès. Analyse de données avec R. Presses universitaires de Rennes, 2009.
Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UEM2
Intitulé de la matière : Logiciels traceurs de courbes et grapheurs
Crédits : 2
Coefficients : 1


Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Maitriser les outils de visualisation et de représentation de calculs ou de simulations. Développer la possibilité d’expérimenter via un large dialectique entre l’observation et la démonstration.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Connaissance de base en informatique

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Initiation, familiarisation et utilisation de différents types de logiciels traceurs de courbes :

Origin : Tracer de courbes
Matlab : graphiques bi- et tri- dimensionnelles et surfaciques.
cddp92 : Traceur de courbes de fonctions à une variable, courbes paramétriques, surfaces paramétriques. O.S. : Windows, Mac, Linux
esmos : traceur de courbes en ligne et éditeur d'équation
HYPERLINK "http://perso.wanadoo.fr/patrice.rabiller/SineQuaNon/menusqn.htm" \t "_Blank"Sine Qua Non 

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Examen


Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
Stork, David G., Elad Yom-Tov, and Michael R. Williams. Computer manual in MATLAB to accompany pattern classification. New York: John Wiley & Sons, 2004
Leonard, Naomi Ehrich, and William S. Levine. Using MATLAB to analyze and design Control Systems. Benjamin-Cummings Publishing Co., Inc., 1995.
http://www.ritme.com/fr/product/origin/features
HYPERLINK "http://www.ritme.com/fr/product/origin/features"http://www.ritme.com/fr/product/origin/features

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UED2
Intitulé de la matière : Applications des nano-semi-conducteurs
Crédits : 1
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Découvrir la nanotechnologie et les nano-composants modernes

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Contenus de la formation Licence

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)

1) Introduction aux Nanomatériaux. (2) Nano composants électroniques (Nano-conducteurs & Nano-transistors. (3) Nano-dispositifs Magnétiques (Magnétorésistance et Applications). (4) Nano-dispositifs Photoniques (Semi-conducteurs point/boite quantique, Cristaux photoniques, Méta-matériaux). (5) MEMS et NEMS (Fabrication, Modélisation, Applications)

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- Bhushan (ed) Handbook of nanotechnolohy (Springer 2004)
- D. M. Wautelet & C. Dunod Les nanotechnologies ( Dunod, 2000 )
- D. M. A. Ratner & D. Ratner Nanotechnologies – La révolution de demain ( Campus Press, 2003 )
- De Hanri Van Damme Nanomatériaux – Arago 27 ( OFTA, 2002 )
- S. M. Sze Semiconductor devices: Physics and technology ( J. Wiley, 2002 )
- G. S. May Fundamentals of semiconductor fabrication (J. Wiley & Sons, 2003)
- J. De Malio Molecular semiconductors: an introduction (J. Wiley & Sons, 2004)
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev & M. Shur, Handbook series on semiconductor. parameters Vol. 1& 2. (World Scientific 1999)






Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S2
Intitulé de l’UE : PA/UET2
Intitulé de la matière : Législation
Crédits : 1
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Capacité à lire et comprendre un texte de loi
Capacité à appliquer une réglementation

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Ensembles des contenus de la formation

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Notions générales sur le droit (introduction au droit, droit pénal).
Présentation de législation Algérienne (HYPERLINK "http://www.joradp.dz"www.joradp.dz, références des textes).
Règlementation générale (loi sur la protection du consommateur, hygiène, étiquetage et information, additifs alimentaires, emballage, marque, innocuité, conservation).
Règlementation spécifique (travail personnel, exposés).
Organismes de contrôle (DCP, CACQUE, bureau d’hygienne, ONML).
Normalisation et accréditation (IANOR, ALGERAC).
Normes internationales (ISO, codex alimentarius, NA, AFNOR)


Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Examen

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
La Constitution, Journal officiel (JORADP), Code du travail, Code de la fonction public, Code d’éthique interne à l’établissement, Revue des droits, Revue de la police, Revue de la gendarmerie nationale.





Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEF5
Intitulé de la matière : Composants photo-actifs
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur l’acquisition des bases physiques relatives à la production d'électricité à partir de la conversion photovoltaïque de l'énergie solaire.

Connaissances préalables recommandées
Propriétés physiques des semi-conducteurs

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
1) Rayonnement Solaire. (2) Matériaux convertisseurs : Propriétés de conduction électrique, Propriétés d’absorption de la lumière (3) Conversion Photovoltaïque : Interaction rayonnement matière, Jonction p-n, Principe de conversion photovoltaïque de l’énergie solaire, Caractéristiques Courant-tension (I-V) et Puissance-tension (P-V). (4) Cellules solaires : Principe de fonctionnement d’une cellule, Collecte du courant photo-généré, Schéma électrique équivalent d’une cellule solaire, Influence de l’énergie de bande interdite, Rendement de conversion, Influence de la température et de l’éclairement. (5) Technologie de fabrication des cellules solaires : Cellules standards à base de silicium, Cellules en couches minces. (6) Différents types de cellules solaires. (7) Sources de pertes dans les cellules photovoltaïques : Pertes par réflexion, Recombinaisons électroniques, Effet de piégeage, Effet des résistances séries et parallèles. (8) Modules photovoltaïques : Groupement de cellules en série, Groupement de cellules en parallèle, Panneaux solaires. (9) Eléments d'une installation solaire : Accumulateurs, Régulateur de charge, Onduleur.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
A. Ricaud “Photopiles solaires : de la physique de la conversion voltaïque aux filières, matériaux et procédés” (Presses Polytechniques et Universitaires , 1997). 
L. D. Partain “Solar cells and their applications” (Wiley-Interscience 1995).
A. Goetzberger, J. Knobloch, B. Voss “Crystalline Silicon Solar Cells” (Wiley Ltd 1998).
S. M. Sze Semiconductor devices: Physics and technology ( John Wiley, 2002 ).
T. Markvart “Solar Electricity” (John Wiley & Sons Ltd 1994). 
A. Vapaille “Résistivité des semi-conducteurs” (Techniques de l’Ing., Paris 1989).

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEF5
Intitulé de la matière : Composants unipolaires
Crédits : 6
Coefficients : 3
Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la connaissance des composants unipolaires qui trouvent leurs applications dans la microélectronique particulièrement en microondes.
Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Propriétés physique des semi-conducteurs

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
1) Phénomènes de surfaces et d’interfaces : Travail de sortie, affinité électronique, effet Schottky, émission thermoélectronique. (2) Structure métal/Semi-conducteur : Diagramme d’énergie, ohmique, redresseur, zone de charge d’espace, capacité, applications. (3) Structure M-I-S et MOS : Diagramme d’énergie, Structure idéale, Structure réelle, Utilisation dans la caractérisation des composants. (4) Transistor JFET : Structure et fonctionnement, réseau de caractéristique. (5) MESFET GaAs : Structure, courant de drain, tension et courant de saturation, fréquence de coupure. (6) MOSFET : Structure et fonctionnement, courant de drain, réseau de caractéristique, transistor de puissance.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu + travail collaboratif (40%)
Examen (60%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- G. Häberle Génie électrique (Dunod 2014)
- C. Ngo & H. Ngo, Physique des Semi-conducteurs (Dunod 2012)
- F. P. MILLER, A. F. VANDOME & J. MCBREWSTER, Science des matériaux: Métal, Polymère, Semi-conducteur, Céramique, Composite, Nanotechnologie, Caractérisation des matériaux, Contrôle non destructif, Essai mécanique (Alphascript Publishing 2010)
- D. GOGUENHEIM Etude de la fiabilité des oxydes minces dans les structures MOS, (Editions Universitaires Européennes 2010)
- K. Brennan Introduction to semiconductor devices: for computing and telecommunication applications (Cambridge Univ. Press 2004)
- D. F. Schwierz & J. J. Lieu Modern microwave transistors: Theory, Design and Performance (Wiley, 2003)
- W. Monch Semiconductor surfaces and interfaces (Springer Verlag 2002)
- B. Stafan Silicon - Germanium heterojunction bipolar transistor:: Large signal modeling and low frequency noise characterization aspect ( Upsala Université, 1999 )

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEF6
Intitulé de la matière : Composants photoniques
Crédits : 4
Coefficients : 2


Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Les compétences apportées par cette matière portent principalement sur la maitrise des Lasers sources optiques à base de semi-conducteurs, les composants photoniques et leurs applications.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Propriétés physiques des semi-conducteurs

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
1) Introduction, (2) Émission de lumière par un semi-conducteur, (4) Jonction p-n et inversion de population, (5) Sources optiques à base de Semi-conducteurs: Diodes électroluminescentes, diodes lasers, etc. (6) Les détecteurs : photodiodes, caméras CCD, etc. (7) Les composants optoélectroniques : capteurs, modulateurs Electro-Optiques, etc. (8) Applications.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- H. Zappe Laser diode microsystems (Springer Verlag 2003)
- K. Naugolnykh & L. Ostrovsky Nonlinear wave processes in acoustics (Cambridge U. Press 1998)
- P. Landsberg Recombination in semiconductors(Cambridge Univ. Press 2003)
- J. H. Simmons & K. S. Potter Optical materials (Academic Press 2000)
- E. Rosencher & B. Venter Optoélectronique (Dunod, 2002 )
- D. J. Singh Electronic and optoelectronic properties of semiconductor structure ( C. U. P, 2003 )
- A. Kolobov Photo induced metastability in amorphous semiconductors (J. Wiley & Sons, 2003)
- D. M.O Manasreh, D. Khokhlov Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices (Taylor & Francis Books, 2003 )
- A. Mandellis Semiconductors& electronic devices (SPEI, Int. Soc. Optics, Washing, 2000)
- G. Gryubert, et al, Introduction aux Lasers et à l’optique Quantique, (Ellipses, 1997).

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEF6
Intitulé de la matière : Circuits intégrés et basse dimensionnalité
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Compréhension et maîtrise des techniques micro et nano-technologiques des C. I.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Propriétés physiques de semi-conducteurs

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
1) Technologie planar, purification et préparation des wafers, dopage, épitaxie, diffusion.
(2) Oxydation, isolation, technologie SOI. (3) Préparation de masques submicronique. (4) Types de gravures, décapage chimique et par plasma. (5) Nano-lithographie et nanotechnologie. (6) Techniques d’assemblage. (7) Echelle d’intégration (SSI, …, VLSI, ULSI). (8) Exemples de composants (CMOS, CCD, TTL, etc.)

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu + exposé (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- S. M. Sze Semiconductor devices: Physics and technology ( J. Wiley, 2002 )
- M Fogiel, Modern micrelectronic circuit design, IC applications, fabrication technology, (REA, 1981)
- R. Delsol Circuits intégrés et techniques numériques (Cepadues, 1989)
- Bhushan (ed) Handbookof nanotechnolohy (Springer 2004)
- D. M. Wautelet & C. Dunod Les nanotechnologies ( Dunod, 2000 )
- D. M. A. Ratner & D. Ratner Nanotechnologies – La révolution de demain ( Campus Press, 2003 )
- De Hanri Van Damme Nanomatériaux – Arago 27 ( OFTA, 2002 )
- R. A. Street Technology and applications of amorphous Si (Springer-Verlag 1999)
- O. Madelung Semiconductors: Data handbook (Springer Verlag 2004)
- G. S. May Fundamentals of semiconductor fabrication (J. Wiley & Sons, 2003)
- J. De Malio Molecular semiconductors: an introduction (J. Wiley & Sons, 2004)
- M. Levinshtein, S. Rumyantsev & M. Shur, Handbook series on semiconductor parameters Vol. 1& 2. (World Scientific 1999)
- M. Cand, J.L. Lardy, E. Demoulin & P. Senn, Conception des Circuits Intégrés (Eyrolles 1986).


Intitulé du Master: Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEM3
Intitulé de la matière : Technologie des composants via ATLAS - SILVACO
Crédits : 2
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Maitriser toute la technologie des composants de la définition d’un substrat jusqu’à la réalisation d’une structure désirée via l’outil ATLAS- SILVACO.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Technologie des semi-conducteurs

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
(1) Présentation de l’environnement athena/atlas pour la conception virtuelle de composants. (2) Définition d’un substrat avec différents types de dopage. (3) Réalisation de couches minces : Epitaxie, implantation ionique, CVD, Diffusion, etc. (4) Ouvertures des fenêtres de différentes formes par gravure. (5) Élaboration et caractérisation d’une jonction pn : Texturation de la surface d’un substrat, fabrication de la jonction, Dépôt d’une couche antireflet, Métallisation, Études des caractéristiques I(V) à l’obscurité et sous illumination. (6) Conception d’un MESFET: Définition du substrat, 1ère photogravure, Implantation ionique de la couche active et des régions sous contacts ohmiques, métallisation, 2ème photogravure pour définir les électrodes (contact ohmiques & Schottky). Variation des paramètres géométriques, Variation des paramètres technologiques, Extractions de la tension de seuil, caractéristiques I(V), etc. (7) Conception d’un MOSFET: N-MOSFET, P-MOSFET, V-MOSFET (Définition du substrat, implantation ionique, suivie du profile de dopage, implantation pour ajuster la tension de seuil, extraction des I(V).

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Examen

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- ATLAS User’s Manual, Device simulation software, October 2011.
- Hosseini, Reza. "Analysis and simulation of a junctionless double gate MOSFET for high-speed applications." Journal of the KoreanPhysical Society 67, no. 9 (2015): 1615-1618.
- Ternon, Céline, Delphine Constantin, Anne Kaminski, Lionel Claudon, Fabien Volpi, Quentin Rafhay, and Ahmad Bsiesy. "Mise en place d'un TP de simulation, élaboration et caractérisation d'une cellule photovoltaïque de première génération." In 11èmes Journée Pédagogiques du CNFM, pp. pages-137. 2010.
- Xuan, Hoa Nguyen. "Méthodes et modèles pour une approche de dimensionnement géométrique et technologique d'un semi-conducteur de puissance intégré. Application à la conception d'un MOFSET autonome." PhD diss. Université de Grenoble, 2011.

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEM3
Intitulé de la matière : Utilisation du Matlab
Crédits : 4
Coefficients : 2

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Utilisation du logiciel MATLAB pour la simulation des caractéristiques de composants.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Connaissance de base d’informatique

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
- Introduction
- Familiarisation avec le Matlab et ses applicabilités
- Tableaux et matrices (Définir une matrice, Addition et multiplication matricielles, Inversion d'une matrice, Opérations élément par élément, Fonctions utiles pour la manipulation des matrices).
- Polynômes (Racines d’un polynôme, Addition, Multiplication, Division, Dérivation & Evaluation).
- Analyse numérique (Tracé graphique, Minimum d’une fonction, Zéro d’une fonction, Intégration & Dérivation Equations différentielles).
- Graphisme à deux dimensions (fonction plot, commandes grid, xlabel, ylabel et text commande axis).
- Modélisation de quelques structures et composants.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
- J. Christophe Saint Outils informatiques pour la recherche Initiation à Matlab.
- Y. Morere Initiation au progiciel Matlab (Université-metz, 2005/2006).
- Furon Initiation au logiciel " Matlab ". (P.F./Initiation Aide Matlab.doc, 2002).
- R. Younes Initiation sur MatLab. (Université Libanaise- Beyrouth, 2005).
- Yves Briere Initiation à Matlab Appliqué à l'automatique et au traitement du signal, 2007.
- R. Delsol Circuits intégrés et techniques numériques (Cepadues, 1989)
- Ouvrages de bases et d’initiation au MATLAB.
- R. Delsol Circuits intégrés et techniques numériques (Cepadues, 1989).
- Blagrand Initiation à l'utilisation de Matlab dans le cadre du cours Mécanique rationnelle.
- Jerome Initiation au traitement d’images avec MATLAB. (E.N.S.B.A.N.A, 2002/2003).
- N. Hudon Initiation à Matlab. (URCPC, Ecole Polytechnique de Montréal, 2004).

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEM3
Intitulé de la matière : Méthodologie de la Recherche
Crédits : 3
Coefficients : 1


Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Initiation à recherche bibliographique : de la recherche de documentation à l’utilisation et structuration de contenus.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Connaissance de base en méthodologie et communication

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
- Introduction
- Documentation scientifique (ouvrages, publications, proceedings, etc..
- Présentation des références de la documentation scientifiques
- Structuration de documents Scientifiques
- Revues et périodiques de la recherche scientifique
- Utilisation des articles et communications orales et Posters.

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)

Contrôle continu (50%)
Examen (50%)

Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).
Ouvrages scientifiques
Revues et périodiques de recherche (IEE, JASA, Phys. Rev ; )
Visite du coin de lecture du Laboratoire des Semi-Conducteurs : Articles & Posters existants au Labos.
Visite de la bibliothèque centrale de l’université : Présentation des différentes méthodes de recherche (Logiciel, carte d’identification, revues, etc.)
SNDL.




Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UED3
Intitulé de la matière : Outils de la rédaction scientifique
Crédits : 1
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Acquérir les compétences nécessaires de production d’un document structuré respectant les principes de mise en forme et en page

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Connaissances de base en informatique

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)

- Avant la rédaction : Organisation des idées et plan de rédaction, préparer la manière de rédiger, choisir ses outils de mise en page, utilisation des systèmes de contrôle des versions
- Références bibliographiques : Obtenir des références, construire la bibliographie éviter le plagiat
- Rédaction : Structure, contenu, Style, etc. Utilisation du LATEX
- Présentation orale : Préparation des diapositives, utilisations du PPT.


Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc…(La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Examen



Références   (Livres et polycopiés, sites internet, etc).

Guide Latex
Guide PPT







Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UEM3
Intitulé de la matière : Entrepreneuriat et gestion de projet
Crédits : 1
Coefficients : 1

Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Compréhension de l’organisation et de fonctionnement d’une entreprise
Capacité à monter un projet de création d’entreprise
lancer et à gérer un projet
Capacité à travailler méthodiquement
Capacité à planifier et de respecter les délais
Capacité à travailler en équipe
Capacité d’être réactif et proactif

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Ensembles des contenus de la formation

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
L’entreprise et gestion d’entreprise
Définition et organisation d’entreprise
Gestion des approvisionnements : Gestion des achats, Gestion des stocks, Organisation des magasins
Gestion de la production : Mode de production, Politique de production
Gestion commerciale et Marketing : Politique de produits, Politique de prix, Publicité, Techniques et équipe de vente.

Montage de projet de création d’entreprise
Définition d’un projet
Cahier des charges de projet
Les modes de financement de projet
Les différentes phases de réalisation de projet
Le pilotage de projet
La gestion des délais
La gestion de la qualité
La gestion des coûts
La gestion des tâches

Mode d’évaluation : Contrôle continu, examen, etc. (La pondération est laissée à l’appréciation de l’équipe de formation)
Examen

Intitulé du Master : Physique Appliquée (PA)
Semestre : S3
Intitulé de l’UE : PA/UET3
Intitulé de la matière : Préparation à la vie active
Crédits : 1
Coefficients : 1


Objectifs de l’enseignement (Décrire ce que l’étudiant est censé avoir acquis comme compétences après le succès à cette matière – maximum 3 lignes).
Préparer le diplômé à la vie active vise à lui faciliter l’insertion professionnelle en lui donnant les compétences et les outils dont il a besoin pour s'adapter au nouveau mode de travail ou de recherche.

Connaissances préalables recommandées (descriptif succinct des connaissances requises pour pouvoir suivre cet enseignement – Maximum 2 lignes).
Ensembles des contenus de la formation

Contenu de la matière (indiquer obligatoirement le contenu détaillé du programme en présentiel et du travail personnel)
Gestion d’une réunion : Établir une invitation, préparer un ordre du jour, etc.
Apprendre l’évaluation d’un travail, d’un comportement, de capacité, etc.
Apprendre la rédaction  d’un compte rendu, un rapport, une lettre de motivation, etc.
Établir son curriculum vitae et son actualisation
Méthodes d’enseignements
Technologie et société
Visite de lieux de travail


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