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3. Transistor bipolaire en commutation (sans ... - IUT en Ligne

Un corrigé avec barème de correction est remis aux étudiants en sortie du devoir (C'est souvent le seul ... Circuit de commande d'un afficheur 4 chiffres (8 pts).




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une moyenne présentable. (ni trop ni trop peu…)
La moyenne d’un devoir doit refléter l’adéquation entre les objectifs de l’enseignant et les résultats des étudiants.


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Nos étudiants disposent d’une masse considérable d’informations sur internet. Les enseignants sont maintenant soucieux de leur apprendre à utiliser intelligemment cet immense champ de connaissance. Ils leur apprennent notamment à citer les sources…


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Michel PIOU - Agrégé de génie électrique – IUT de Nantes – France Table des matières


 TOC \o "1-3" \h \z \u  HYPERLINK \l "_Toc409431233" 1. Question de cours (1 pt)  PAGEREF _Toc409431233 \h 1
 HYPERLINK \l "_Toc409431234" 2. Point de fonctionnement de la jonction base-émetteur d’un transistor bipolaire (3 pts)  PAGEREF _Toc409431234 \h 3
 HYPERLINK \l "_Toc409431235" 3. Transistor bipolaire en commutation (sans calculette) (3,5 pts)  PAGEREF _Toc409431235 \h 4
 HYPERLINK \l "_Toc409431236" 4. Transistor bipolaire en commutation (avec calculette) (3,5 pts)  PAGEREF _Toc409431236 \h 5
 HYPERLINK \l "_Toc409431237" 5. MOS de puissance en zone ohmique (avec calculette) (4 pts)  PAGEREF _Toc409431237 \h 6
 HYPERLINK \l "_Toc409431238" 6. Commande d’une LED avec un transistor bipolaire en commutation: (4 pts)  PAGEREF _Toc409431238 \h 7
 HYPERLINK \l "_Toc409431239" 7. Commande d’un transistor MOS en commutation. Droite de charge (3 pts)  PAGEREF _Toc409431239 \h 8
 HYPERLINK \l "_Toc409431240" 8. Photo transistor et droite de charge (4 Pts)  PAGEREF _Toc409431240 \h 9
 HYPERLINK \l "_Toc409431241" 9. Détecteur de lumière à phototransistor (9,5 Pts)  PAGEREF _Toc409431241 \h 10
 HYPERLINK \l "_Toc409431242" 10. Circuit de commande d’un afficheur 4 chiffres (8 pts)  PAGEREF _Toc409431242 \h 13
 HYPERLINK \l "_Toc409431243" 11. Commande d’un moteur par un hacheur réversible à 3 transistors (8 pts)  PAGEREF _Toc409431243 \h 16


Question de cours (1 pt)

Associer par des flèches les électrodes des transistors avec leur dénomination.







Corrigé :




Variante (1 pt)
Associer par des flèches les électrodes des transistors avec leur dénomination.










Corrigé :


Variante (1 pt)




Associer par des flèches les électrodes des transistors avec leur dénomination.




Corrigé :






Point de fonctionnement de la jonction base-émetteur d’un transistor bipolaire (3 pts)
On souhaite déterminer le point de fonctionnement de la jonction base-émetteur du transistor placé dans le montage ci-contre.

a) Exprimer la relation Vbe en fonction de Ib pour le dipôle constitué de la source « e » et de la résistance « Rb » (à gauche des points A et B)

Sachant que  EMBED Equation.3  et que  EMBED Equation.3 , représenter le graphe de cette fonction  EMBED Equation.3  sur le graphe ci-dessus.

b) La caractéristique  EMBED Equation.3  déjà présente (en trait gras) sur le graphe ci-dessus représente la relation entre la tension et le courant dans le dipôle base-émetteur (à droite des points A et B).
En déduire graphiquement la valeur de  EMBED Equation.3  et la valeur de  EMBED Equation.3  dans le montage ci-dessus.

c) Lorsque le courant  EMBED Equation.3  est supérieur à quelques  EMBED Equation.3 , on peut modéliser la jonction base-émetteur par une source de tension  EMBED Equation.3 . Calculer la valeur numérique de  EMBED Equation.3  obtenue avec ce modèle
(En l’absence de calculette, le résultat sera donné sous forme d’une fraction)


Corrigé :
a)  EMBED Equation.3 

 EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 

Le point de fonctionnement du montage se situe à l’intersection de la droite  EMBED Equation.3  et de la courbe caractéristique  EMBED Equation.3  de la jonction base-émetteur.
On en déduit graphiquement  EMBED Equation.3  et  EMBED Equation.3 
c)  EMBED Equation.3   EMBED Equation.3 


Transistor bipolaire en commutation (sans calculette) (3,5 pts)
Un capteur de position délivre une tension « e » positive. Cette tension doit être « adaptée » pour piloter en tout ou rien une charge qui se comporte comme une résistance  EMBED Equation.3  alimentée sous  EMBED Equation.3 . Dans ce but, on propose de mettre en œuvre le montage ci-contre.

Le transistor utilisé possède les caractéristiques suivantes :  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3  () ;  EMBED Equation.3 

a) Déterminer l’intervalle des valeurs de « e » pour lesquelles le transistor est bloqué. Justifier en quelques mots

b) Lorsque  EMBED Equation.3 , on souhaite que le transistor soit saturé avec un coefficient de sursaturation (ou de sécurité) au moins égal à 2. Calculer le courant de base nécessaire ainsi que la valeur maximum de  EMBED Equation.3 .


Corrigé :
a) Transistor bloqué  EMBED Equation.3   EMBED Equation.3   EMBED Equation.3 

b) Lorsque  EMBED Equation.3  : Transistor saturé de façon certaine  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3   EMBED Equation.3  EMBED Equation.3 .

Transistor bipolaire en commutation (avec calculette) (3,5 pts)
Un capteur de position délivre une tension « e » positive. Cette tension doit être « adaptée » pour piloter en tout ou rien une charge qui se comporte comme une résistance  EMBED Equation.3  alimentée sous  EMBED Equation.3 . Dans ce but, on propose de mettre en œuvre le montage ci-contre.

Le transistor utilisé possède les caractéristiques suivantes :  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3  () ;  EMBED Equation.3 

a) Déterminer l’intervalle des valeurs de « e » pour lesquelles le transistor est bloqué.

b) Lorsque  EMBED Equation.3 , on souhaite que le transistor soit saturé avec un coefficient de sursaturation supérieur ou égal à 2. Calculer le courant de base nécessaire ainsi que la valeur maximum de  EMBED Equation.3 .

Corrigé :



MOS de puissance en zone ohmique (avec calculette) (4 pts)


De façon à commander en tout ou rien une charge résistive de 10 Wð sous 300 V, on veut mettre en Suvre le transistor MOS ci-contre.

a) Lorsque le transistor MOS fonctionne en zone ohmique, il se comporte comme une résistance  EMBED Equation.3 .
Calculer dans ce cas, les valeurs de  EMBED Equation.3  et de  EMBED Equation.3 .





Corrigé :

a)

 EMBED Equation.3 

 EMBED Equation.3 .


Commande d’une LED avec un transistor bipolaire en commutation: (4 pts)

Les caractéristiques du transistor bipolaire utilisé sont les suivantes :  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3 
On suppose  EMBED Equation.3  lorsque le transistor est bloqué.
La LED présente une tension  EMBED Equation.3  de l’ordre de 1,8 V.

La tension de commande « e » est une tension carrée 0V / 5V.

En déduire la valeur que doit présenter  EMBED Equation.3  pour que le courant dans la LED soit de l’ordre de 10 mA lorsque le transistor est saturé.

Déterminer la valeur limite de  EMBED Equation.3  qui permet de saturer le transistor de manière certaine, avec un coefficient de sursaturation supérieur ou égal à 2. (Le coefficient « 2 » assure une marge de sécurité garantissant la saturation).
Cette valeur de  EMBED Equation.3  est-elle un maximum ou un minimum (Justifier en quelques mots)

Corrigé :

Lorsque le transistor est saturé :  EMBED Equation.3 ,  EMBED Equation.3 ,  EMBED Equation.3  et  EMBED Equation.3 , donc  EMBED Equation.3  avec  EMBED Equation.3 .
On en déduit que  EMBED Equation.3 
Pour que le transistor soit saturé, il faut  EMBED Equation.3 .

Pour que la relation soit toujours vérifiée, quelque soit  EMBED Equation.3 , il faut considérer le cas le plus défavorable :
Il faut prendre  EMBED Equation.3 .

On propose de prendre un coefficient de sursaturation de 2  EMBED Equation.3 

Loi d’Ohm :  EMBED Equation.3 
Commande d’un transistor MOS en commutation. Droite de charge (3 pts)

Dans le montage ci-contre,  EMBED Equation.3 .

a) On suppose  EMBED Equation.3  lorsque le transistor MOS est bloqué et  EMBED Equation.3  lorsque le transistor MOS est passant en zone ohmique.
Positionner sur le schéma ci-contre les tensions fléchées  EMBED Equation.3  et  EMBED Equation.3 

Déterminer la valeur approchée de  EMBED Equation.3  lorsque le transistor est passant en zone ohmique.







b) En réalité, lorsque le transistor MOS est passant (en zone ohmique), la tension  EMBED Equation.3  n’est pas tout à fait nulle. On veut maintenant étudier le montage de façon plus précise :

La loi des mailles permet de montrer que  EMBED Equation.3 .
(Le graphe de cette droite est tracé en superposition sur le réseau de courbes ci-contre (extrait de la documentation constructeur du MOS)).

Le point de fonctionnement du transistor MOS est à la fois sur la droite  EMBED Equation.3  précédente car la relation  EMBED Equation.3 doit être vérifiée, et en même temps sur une caractéristique du réseau de courbes  EMBED Equation.3  du constructeur.

Estimer les valeurs de la tension  EMBED Equation.3  et la valeur du courant  EMBED Equation.3  si  EMBED Equation.3 .

Corrigé :














Photo transistor et droite de charge (4 Pts)

a) Déterminer l’équation de la droite de charge  EMBED Equation.3  en fonction de  EMBED Equation.3 .
Représenter cette droite de charge Sur le graphe ci-contre.

b) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec 1 mW/cm2 .
En déduire la valeur de  EMBED Equation.3  dans ce cas

c) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec  EMBED Equation.3 .
En déduire la valeur de  EMBED Equation.3  dans ce cas.

Corrigé :

 EMBED Equation.3   EMBED Equation.3 . Le point de fonctionnement est donc sur la droite de charge  EMBED Equation.3 

Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 1 mW/cm2 :  EMBED Equation.3 

Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 10-3 mW/cm2 :  EMBED Equation.3 




Détecteur de lumière à phototransistor (9,5 Pts)
a) Assemblage de diodes

Le montage ci-contre est constitué de deux diodes en série avec une LED rouge. Chaque diode a une tension de seuil de 0,7 V. La LED rouge a une tension de seuil de 1,8 V.

Représenter sur le graphe ci-contre la caractéristique  EMBED Equation.3  en fonction de la tension  EMBED Equation.3  aux bornes de l’ensemble.

Pour ce dipôle constitué des deux diodes en série avec la LED, on adopte le modèle d’une unique diode à seuil.
Préciser la valeur de la tension de seuil de cette diode équivalente.


b) Phototransistor et droite de charge

a) Déterminer l’équation de la droite de charge du phototransistor  EMBED Equation.3  en fonction de  EMBED Equation.3 .
Représenter cette droite de charge Sur le graphe ci-contre.

b) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec 1 mW/cm2 . En déduire la valeur de  EMBED Equation.3  dans ce cas

c) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec  EMBED Equation.3 . En déduire la valeur de  EMBED Equation.3  dans ce cas.


c) MOS et droite de charge

Lorsque la LED verte est passante, la tension à ses bornes est de 2 V.

Déterminer l’équation de la droite de charge  EMBED Equation.3  en fonction de  EMBED Equation.3  (lorsque la LED verte est passante)
(type  EMBED Equation.3 ).
Tracer cette droite sur le graphe ci-contre.

Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque  EMBED Equation.3 . En déduire les valeurs numériques de  EMBED Equation.3  et de  EMBED Equation.3  dans ce cas.

d) Détecteur de lumière
a) En conclusion de l’étude des trois parties du montage détecteur de lumière, compléter les valeurs numériques (approchées) dans les cases en pointillé lorsque le phototransistor est éclairé sous 1 mW/cm2.
(On prendra comme hypothèse que la LED rouge est bloquée)

b) L’hypothèse « la LED rouge est bloquée » est elle vraie ?




Corrigé :
a) Assemblage de diodes
Pour une valeur de ID donnée, la tension aux bornes de l’ensemble est la somme des tensions VD1, VD2 et VLED.
La tension de seuil de l’ensemble est de l’ordre de  EMBED Equation.3 


b) Phototransistor et droite de charge

 EMBED Equation.3   EMBED Equation.3 Le point de fonctionnement est donc sur la droite de charge  EMBED Equation.3 

Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 1 mW/cm2 :  EMBED Equation.3 
Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 10-3 mW/cm2 :  EMBED Equation.3 




c) MOS et droite de charge
 EMBED Equation.3   EMBED Equation.3 

Au point d’intersection de la droite de charge et de la caractéristique pour  EMBED Equation.3 , on obtient un point de fonctionnement :  EMBED Equation.3  et  EMBED Equation.3 



d) Détecteur de lumière




L’ensemble LED rouge + D1 + D2 ne peut pas conduire si  EMBED Equation.3 . Ceci est donc la conduction est impossible lorsque  EMBED Equation.3 


Circuit de commande d’un afficheur 4 chiffres (8 pts)
Contexte de l’exercice : (Sa lecture n’est pas indispensable à la résolution de l’exercice).

On veut afficher une valeur numérique constituée de 4 chiffres décimaux. Chaque chiffre est obtenu en sélectionnant certains segments d’un « afficheur 7 segments ».
Chaque segment est réalisé avec une LED qui peut être allumée ou éteinte.

Il y a donc au total : 7x4 = 28 LED qui peuvent être commandées.

Pour minimiser le nombre de connections, on choisit de commander un seul afficheur à la fois en utilisant le principe du multiplexage.
Les 7 connections de pilotage des chiffres sont communes aux 4 afficheurs.
Il y a donc au total 7 + 4 = 11 liaisons pour commander les 28 LED des 4 afficheurs.
On a représenté ci-dessous la structure d’une sortie parmi 7 du multiplexeur.



a)
Indiquer, dans les cadres ci-contre, le type de chaque transistor (T1, T2, T3 et T4).
Par exemple MOS canal P ou bien bipolaire PNP ou bien un autre type…




b) Hypothèses :
Les valeurs des « Gate Threshold Voltage » des transistors MOS sont les suivantes :
MOS canal N :  EMBED Equation.3  et MOS canal P : EMBED Equation.3 
En régime ohmique, les transistors MOS se comportent comme des résistances de faible valeur :  EMBED Equation.3 

Les transistors bipolaires ont un  EMBED Equation.3  et  EMBED Equation.3 

Le segment 4 de l’afficheur A présente une tension  EMBED Equation.3 lorsqu’il est passant.

On suppose que les 5 transistors ci-dessous fonctionnent en commutation.


Lorsque  EMBED Equation.3  représenter sur le schéma ci-contre les flèches des tensions  EMBED Equation.3  ou  EMBED Equation.3  des transistors T1, T2, T3 et T4 en les accompagnant de leur valeur numérique.

En déduire dans le tableau ci-contre l’état « passant » ou « bloqué » de chaque transistor.





Lorsque  EMBED Equation.3  représenter sur le schéma ci-contre les flèches des tensions  EMBED Equation.3  ou  EMBED Equation.3  des transistors T1, T2, T3 et T4 en les accompagnant de leur valeur numérique.

En déduire dans le tableau ci-contre l’état « passant » ou « bloqué » de chaque transistor.




Sachant que  EMBED Equation.3 , calculer la valeur de la résistance de limitation  EMBED Equation.3  qui assure un courant  EMBED Equation.3  dans le segment d’afficheur lorsque T3 et Ta sont saturés (On néglige les courants de base). (Le devoir se déroulant sans calculette, les valeurs ont été choisies de façon que les calculs soient très simples)

Corrigé :


En appliquant la loi des mailles :  EMBED Equation.3   EMBED Equation.3 
 EMBED Equation.3 


Commande d’un moteur par un hacheur réversible à 3 transistors (8 pts)

a).Commande de 3 types de montages à transistors en commutation.
On dispose de trois montages de base dans lesquels les transistors fonctionnent en commutation.

Montage 1Montage 2Montage 3









Indiquer dans le tableau ci-contre le type de chaque transistor
(NPN ; PNP ; MOS canal N ; MOS canal P)



Compléter les colonnes « T1, T2 et T3 » des tableaux ci-dessous en indiquant l’état du transistor de chaque montage en fonction du niveau de tension en entrée ( EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3  ;  EMBED Equation.3 ). On mettra la lettre « P » pour « passant saturé  ou passant en zone ohmique » ou la lettre « B » pour « bloqué »

Pour les trois montages, compléter les colonnes « s1, s2 et s3 » des tableaux ci-dessous avec les valeurs de la tension de sortie (exprimée en Volt) correspondantes à chaque niveau des tensions d’entrée e1, e2 et e3 () () 





b) On suppose toujours les transistors en commutation. En exploitant les résultats ci-dessus, compléter le tableau ci-dessous en indiquant l’état (P ou B) des transistors présent dans le montage 4 et la valeur de la tension s4. ()







c) Application à la commande d’un moteur courant continu.

Le montage 4 étudié précédemment est utilisé pour alimenter un moteur M (aucune connaissance des moteurs n’est nécessaire pour répondre aux questions qui suivent).
Deux diodes D2 et D3 sont ajoutées.
On suppose que les transistors et les diodes fonctionnent en commutation avec un comportement idéal: lorsqu’ils sont passants, ils se comportent comme des interrupteurs fermés, et lorsqu’ils sont bloqués, ils se comportent comme des interrupteurs ouverts.

Montrer que D3 est nécessairement bloquée lorsque T2 est passant.
Commencer le raisonnement par la phrase « supposons D3 passante lorsque T2 est passant » et montrer que cette hypothèse est fausse ; ou commencer le raisonnement par « supposons D3 bloquée lorsque T2 est passant » et montrer que cette hypothèse est vraie


Le symbole représente un inverseur :





Lorsque T2 est commandé par une tension e2 suffisante pour le rendre passant (par exemple  EMBED Equation.3 ), => T3 et D3 sont bloqués :
si is est positif : ’! D2 est passante ;
si is est négatif : ’! T2 est passant.

Lorsque T3 est commandé par une tension suffisante pour le rendre passant, => T2 et D2 sont bloqués :
si is est positif : ’! T3 est passant
si is est négatif : ’! D3 est passante.

Connaissant le graphe de  EMBED Equation.3 , représenter ci-contre le graphe de la tension  EMBED Equation.3  en concordance des temps.

Corrigé :


Supposons D3 passante lorsque T2 est passant. Ces deux composants engendrent un court-circuit entre le +20 V et la masse.  EMBED Equation.3 . Le courant dans la diode est donc de sens inverse (de la cathode vers l’anode) ; ce qui est impossible. Cette hypothèse est donc fausse.

Supposons D1 bloquée lorsque T2 est passant. La diode est alors polarisée en inverse sous une tension de  EMBED Equation.3 . Cette hypothèse est donc vraie.



Si on suppose la diode passante, il faut vérifier le sens du courant qui la traverse.
Si on suppose la diode bloquée, il faut vérifier que la tension à ses bornes est inférieure à sa tension de seuil.





( ) «  EMBED Equation.3  » peut aussi se noter «  EMBED Equation.3  »
( ) «  EMBED Equation.3  » peut aussi se noter «  EMBED Equation.3  »
() On supposera  EMBED Equation.3 
() On supposera  EMBED Equation.3 
() On supposera  EMBED Equation.3  et  EMBED Equation.3 











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-  PAGE \* MERGEFORMAT 1 -

-  PAGE 1 -




















































1pt

1 pt

1 pt

1 pt

1 pt

0,2 mA

0,15 mA

0 mA

0,05 mA

10-3 mW/cm2

1 mW/cm2

5V

4

3

2

1

0,1 mA

0

VCE

IC

 EMBED Equation.3 

0

VS

 EMBED Equation.3 

5 V

10-3 mW/cm2

0,02 mW/cm2

0,2 mA

0,15 mA

0 mA

0,05 mA

1 mW/cm2

5V

4

3

2

1

0,1 mA

1 pt

Drain
Emetteur
Base
Grille
Source
Collecteur

1 pt

1,5 pt

+5 V

T2 ou D2 passant

T1 ou D1 passant

T1 ou D1 passant

0

t

t

e1

+20 V

vs

Montage 4

Charge

T3

s4

e1

0

T1

EMBED Equation.3

e2

T2

20 V

1 pt

20

0

B

P

0 V

5 V

s2

T2

e2

s2

e2

0

T2

20 V

1 pt

20

0

B

P

0 V

5 V

s1

T1

e1

s1

e1

0

T1

 EMBED Equation.3 

20 V

1 pt

1,5 pt

0V

20V

B

P

P

B

B

P

T1

5 V

0 V

e2

s4

0 V

5 V

T3

T2

e1

MOS canal P

MOS canal N

NPN

T1

T3

T2

0

T3

s3

e3

20 V

1 pt

20 V

20

0

P

B

s3

0 V

T3

e3

iD3

D3

D2

is

M

T3

e1

0

T1

 EMBED Equation.3 

20 V

vD3

e2

T2

-20 V

+5 V

0

t

t

e1

+20 V

vs

D3

D2

is

M

T3

e1

0

T1

 EMBED Equation.3 

20 V

vs

e2

T2

T1

5 V

0 V

e2

s4

0 V

5 V

T3

T2

e1

Montage 4

Charge

T3

s4

e1

0

T1

EMBED Equation.3

e2

T2

20 V

s3

0 V

20 V

T3

e33

0 V

5 V

s2

T2

e2

0 V

5 V

s1

T1

e1

Type de transistor

T1

T3

T2

0

T3

s3

e3

20 V

s2

e2

0

T2

20 V

s1

e1

0

T1

 EMBED Equation.3 

T4

T3

T2

T1

Ta : saturé

Segment 4 de l’afficheur A

Ta

R4

I4

vs

Ve = 0 V

Rc

T4

T3

T2

T1

Vcc = 5V

T4

T3

T2

T1

Ta : saturé

Segment 4 de l’afficheur A

Ta

R4

I4

vs

Ve = 5 V

Rc

T4

T3

T2

T1

Vcc = 5V







Rc

T4

T3

T2

T1

Vcc = 5V



vs

ve

I4

Commande du courant dans une LED d’un afficheur

R4

Rc

Td

Tc

Tb

Ta

T4

T3

T2

T1

Vcc = 5V

Choix de l’afficheur actif

Chiffre à afficher

Etage de la sortie N°4 du multiplexeur

20 V

1 pt

1,8 V

0,1 V

0,1 V

0,5 pt

0,5 pt

0,5 pt

0,5 pt

1 pt

bloqué

passant

bloqué

passant

-5 V

0,6 V

0 V

0V

T4

T3

T2

T1

Ta

R4

I4

vs

Ve = 0 V

Rc

T4

T3

T2

T1

Vcc = 5V

Bipolaire NPN

MOS canal N
(ou NMOS)


MOS canal P
(ou PMOS)

Rc

T4

T3

T2

T1

Vcc = 5V

MOS canal N
(ou NMOS)


0,5 pt

0,5 pt

0,5 pt

0,5 pt

1 pt

passant

bloqué

passant

bloqué

0 V

0 V

5 V

5 V

T4

T3

T2

T1

Ta : saturé

Segment 4 de l’afficheur A

Ta

R4

I4

vs

Ve = 5 V

Rc

T4

T3

T2

T1

Vcc = 5V

1 pt

0

VCE

IC







































 EMBED Equation.3 

e1

e2

0,5pt

1pt

 EMBED Equation.3 

 EMBED Equation.3 

VR

2,1 V

1 mW/cm2

4,8 V

D2

rouge

vert

RD

D1

e

5 V

 EMBED Equation.3 

1pt

0,5pt

0 mA

VGS < 2 V

VGS = 3V

VGS = 5 V

5V

4

3

2

1

10 mA

5 mA

0

VDS

ID

1pt

1pt

1pt

1pt

1pt

0,2 mA

0,15 mA

0 mA

0,05 mA

10-3 mW/cm2

1 mW/cm2

5V

4

3

2

1

0,1 mA

0

VCE

IC

1pt

1pt

ensemble

VD

ID

LED

D1 ou D2

3,2 V

1,8 V

0

0,7 V

VD

ID

VLED

VD2

VD1

VR



1 mW/cm2







D2

rouge

vert

RD

D1

5 V

 EMBED Equation.3 

ID

vert

VGS

VDS

RD 330 Wð

5 V

0 mA

VGS VGS4

VGS4 > VGS3

VGS3 > VGS2

VGS2 > VGS1

VGS1 > Vth

Zone ohmique :  EMBED Equation.3 


vDS

iD

VBE

VCE

IB

RC

IC

RB

12 V


VBE
VBE

VCE

IB

RC

IC

RB

10 V

e

1 pt

0,5 pt

0,5 pt + 0,5 pt

0,5 pt

0,82 mA

1

4

3

2

1

0

Ib (mA)

Vbe
(V)

Ib

B

A

Vbe

Rb

e

5

0,1

1

4

3

2

1

0

Ib (mA)

Vbe
(V)

Ib

B

A

Vbe

Rb

e