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On considère un semiconducteur de type N de ... - Examen corrige

Exercice : dopage inhomogène. On considère un barreau de silicium, de longueur L, de type N et dont le dopage suit une loi exponentielle. On supposera que ...




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Exercice : dopage inhomogène.

On considère un barreau de silicium, de longueur L, de type N et dont le dopage suit une loi exponentielle. On supposera que tous les atomes donneurs sont ionisés. Leur densité est donnée par la relation suivante :
 EMBED Equation.3 
On rappelle que la densité d'électrons n est donnée dans tout semiconducteur par la relation suivante :  EMBED Equation.3 , où NC est la densité effective, EC le minimum de la bande de conduction, EF le niveau de Fermi, kB la constante de Boltzman et T la température de l'échantillon. On se placera à l'équilibre thermodynamique dans tout l'exercice.

Données :
L = 5 µmx0 = 2 µmN0 = 10 17 cm-3NC =10 19 cm-3Eg = 1.12 eVµn = 1450 cm²/Vsµp = 370 cm²/VsOn se placera à température ambiante. Pour les applications numériques on prendra kB T = 25 meV.

1) Questions de cours
a) Rappeler la signification du niveau de Fermi intrinsèque Ei.
b) Comment est-il situé dans le cas présent par rapport au niveau de Fermi ? On fera un schéma.
c) Donner la relation entre Ei, Ec et Ev d'une part et Ec, Ev et Eg d'autre part.
d) Comment caractériser le niveau de Fermi à l’équilibre thermodynamique ?

2) Détermination du diagramme des bandes
a) Donner l'expression de la densité de porteurs majoritaire n(x) en fonction de N0 et de x0.
b) A l'aide des données du problème, donner la relation entre EC, EF, kB T, N0, NC , x0 et x.
c) En déduire le sens de variation de EC en fonction de x. Comment varient : EF, Ec et Ev en fonction de x ?
d) Représenter sur un schéma le diagramme des bandes d'énergie complet. On calculera les positions relatives des différentes bandes en x = 0 et en x = L , et on les fera apparaître sur le diagramme.

Le dopage non uniforme donne lieu à un mécanisme de diffusion des porteurs majoritaires. Cette diffusion donne elle même naissance à un champ électrique induit  EMBED Equation.3 qui s'y oppose.
3) Représenter sur un schéma le sens de la diffusion des porteurs ainsi que le sens du champ électrique induit (on représentera également la densité de porteurs majoritaires).

4) Détermination du champ électrique.
On rappelle le lien entre le potentiel électrostatique V associé au champ  EMBED Equation.3  et le niveau d’énergie EC : EC = - q V + constante.
a) A l'aide de l'équation trouvée à la question 2 b), déterminer l'expression du champ  EMBED Equation.3  en fonction de x.
c) Faire l'application numérique.

5) Autre méthode
On souhaite retrouver cette expression par une autre méthode.
a) Ecrire la densité de courant d'électrons  EMBED Equation.3  en fonction du champ  EMBED Equation.3  et de la densité de porteurs majoritaires n(x).
b) Donner cette expression en fonction de x.
c) En considérant que la densité de courant d'électrons est nulle à l'équilibre, retrouver l'expression du champ électrique EMBED Equation.3 .