3. Transistor bipolaire en commutation (sans ... - IUT en Ligne
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réfléchir à ce qu'ils ont su (ou pas su) faire dans ce devoir). Personnellement, je
me refuse ...
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une moyenne présentable. (ni trop ni trop peu
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Michel PIOU - Agrégé de génie électrique IUT de Nantes France Table des matières
TOC \o "1-3" \h \z \u HYPERLINK \l "_Toc409431233" 1. Question de cours (1 pt) PAGEREF _Toc409431233 \h 1
HYPERLINK \l "_Toc409431234" 2. Point de fonctionnement de la jonction base-émetteur dun transistor bipolaire (3 pts) PAGEREF _Toc409431234 \h 3
HYPERLINK \l "_Toc409431235" 3. Transistor bipolaire en commutation (sans calculette) (3,5 pts) PAGEREF _Toc409431235 \h 4
HYPERLINK \l "_Toc409431236" 4. Transistor bipolaire en commutation (avec calculette) (3,5 pts) PAGEREF _Toc409431236 \h 5
HYPERLINK \l "_Toc409431237" 5. MOS de puissance en zone ohmique (avec calculette) (4 pts) PAGEREF _Toc409431237 \h 6
HYPERLINK \l "_Toc409431238" 6. Commande dune LED avec un transistor bipolaire en commutation: (4 pts) PAGEREF _Toc409431238 \h 7
HYPERLINK \l "_Toc409431239" 7. Commande dun transistor MOS en commutation. Droite de charge (3 pts) PAGEREF _Toc409431239 \h 8
HYPERLINK \l "_Toc409431240" 8. Photo transistor et droite de charge (4 Pts) PAGEREF _Toc409431240 \h 9
HYPERLINK \l "_Toc409431241" 9. Détecteur de lumière à phototransistor (9,5 Pts) PAGEREF _Toc409431241 \h 10
HYPERLINK \l "_Toc409431242" 10. Circuit de commande dun afficheur 4 chiffres (8 pts) PAGEREF _Toc409431242 \h 13
HYPERLINK \l "_Toc409431243" 11. Commande dun moteur par un hacheur réversible à 3 transistors (8 pts) PAGEREF _Toc409431243 \h 16
Question de cours (1 pt)
Associer par des flèches les électrodes des transistors avec leur dénomination.
Corrigé :
Variante (1 pt)
Associer par des flèches les électrodes des transistors avec leur dénomination.
Corrigé :
Variante (1 pt)
Associer par des flèches les électrodes des transistors avec leur dénomination.
Corrigé :
Point de fonctionnement de la jonction base-émetteur dun transistor bipolaire (3 pts)
On souhaite déterminer le point de fonctionnement de la jonction base-émetteur du transistor placé dans le montage ci-contre.
a) Exprimer la relation Vbe en fonction de Ib pour le dipôle constitué de la source « e » et de la résistance « Rb » (à gauche des points A et B)
Sachant que EMBED Equation.3 et que EMBED Equation.3 , représenter le graphe de cette fonction EMBED Equation.3 sur le graphe ci-dessus.
b) La caractéristique EMBED Equation.3 déjà présente (en trait gras) sur le graphe ci-dessus représente la relation entre la tension et le courant dans le dipôle base-émetteur (à droite des points A et B).
En déduire graphiquement la valeur de EMBED Equation.3 et la valeur de EMBED Equation.3 dans le montage ci-dessus.
c) Lorsque le courant EMBED Equation.3 est supérieur à quelques EMBED Equation.3 , on peut modéliser la jonction base-émetteur par une source de tension EMBED Equation.3 . Calculer la valeur numérique de EMBED Equation.3 obtenue avec ce modèle
(En labsence de calculette, le résultat sera donné sous forme dune fraction)
Corrigé :
a) EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
Le point de fonctionnement du montage se situe à lintersection de la droite EMBED Equation.3 et de la courbe caractéristique EMBED Equation.3 de la jonction base-émetteur.
On en déduit graphiquement EMBED Equation.3 et EMBED Equation.3
c) EMBED Equation.3 EMBED Equation.3
Transistor bipolaire en commutation (sans calculette) (3,5 pts)
Un capteur de position délivre une tension « e » positive. Cette tension doit être « adaptée » pour piloter en tout ou rien une charge qui se comporte comme une résistance EMBED Equation.3 alimentée sous EMBED Equation.3 . Dans ce but, on propose de mettre en uvre le montage ci-contre.
Le transistor utilisé possède les caractéristiques suivantes : EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 () ; EMBED Equation.3
a) Déterminer lintervalle des valeurs de « e » pour lesquelles le transistor est bloqué. Justifier en quelques mots
b) Lorsque EMBED Equation.3 , on souhaite que le transistor soit saturé avec un coefficient de sursaturation (ou de sécurité) au moins égal à 2. Calculer le courant de base nécessaire ainsi que la valeur maximum de EMBED Equation.3 .
Corrigé :
a) Transistor bloqué EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3
b) Lorsque EMBED Equation.3 : Transistor saturé de façon certaine EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 .
Transistor bipolaire en commutation (avec calculette) (3,5 pts)
Un capteur de position délivre une tension « e » positive. Cette tension doit être « adaptée » pour piloter en tout ou rien une charge qui se comporte comme une résistance EMBED Equation.3 alimentée sous EMBED Equation.3 . Dans ce but, on propose de mettre en uvre le montage ci-contre.
Le transistor utilisé possède les caractéristiques suivantes : EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 () ; EMBED Equation.3
a) Déterminer lintervalle des valeurs de « e » pour lesquelles le transistor est bloqué.
b) Lorsque EMBED Equation.3 , on souhaite que le transistor soit saturé avec un coefficient de sursaturation supérieur ou égal à 2. Calculer le courant de base nécessaire ainsi que la valeur maximum de EMBED Equation.3 .
Corrigé :
MOS de puissance en zone ohmique (avec calculette) (4 pts)
De façon à commander en tout ou rien une charge résistive de 10 Wð sous 300 V, on veut mettre en Suvre le transistor MOS ci-contre.
a) Lorsque le transistor MOS fonctionne en zone ohmique, il se comporte comme une résistance EMBED Equation.3 .
Calculer dans ce cas, les valeurs de EMBED Equation.3 et de EMBED Equation.3 .
Corrigé :
a)
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3 .
Commande dune LED avec un transistor bipolaire en commutation: (4 pts)
Les caractéristiques du transistor bipolaire utilisé sont les suivantes : EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3
On suppose EMBED Equation.3 lorsque le transistor est bloqué.
La LED présente une tension EMBED Equation.3 de lordre de 1,8 V.
La tension de commande « e » est une tension carrée 0V / 5V.
En déduire la valeur que doit présenter EMBED Equation.3 pour que le courant dans la LED soit de lordre de 10 mA lorsque le transistor est saturé.
Déterminer la valeur limite de EMBED Equation.3 qui permet de saturer le transistor de manière certaine, avec un coefficient de sursaturation supérieur ou égal à 2. (Le coefficient « 2 » assure une marge de sécurité garantissant la saturation).
Cette valeur de EMBED Equation.3 est-elle un maximum ou un minimum (Justifier en quelques mots)
Corrigé :
Lorsque le transistor est saturé : EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 et EMBED Equation.3 , donc EMBED Equation.3 avec EMBED Equation.3 .
On en déduit que EMBED Equation.3
Pour que le transistor soit saturé, il faut EMBED Equation.3 .
Pour que la relation soit toujours vérifiée, quelque soit EMBED Equation.3 , il faut considérer le cas le plus défavorable :
Il faut prendre EMBED Equation.3 .
On propose de prendre un coefficient de sursaturation de 2 EMBED Equation.3
Loi dOhm : EMBED Equation.3
Commande dun transistor MOS en commutation. Droite de charge (3 pts)
Dans le montage ci-contre, EMBED Equation.3 .
a) On suppose EMBED Equation.3 lorsque le transistor MOS est bloqué et EMBED Equation.3 lorsque le transistor MOS est passant en zone ohmique.
Positionner sur le schéma ci-contre les tensions fléchées EMBED Equation.3 et EMBED Equation.3
Déterminer la valeur approchée de EMBED Equation.3 lorsque le transistor est passant en zone ohmique.
b) En réalité, lorsque le transistor MOS est passant (en zone ohmique), la tension EMBED Equation.3 nest pas tout à fait nulle. On veut maintenant étudier le montage de façon plus précise :
La loi des mailles permet de montrer que EMBED Equation.3 .
(Le graphe de cette droite est tracé en superposition sur le réseau de courbes ci-contre (extrait de la documentation constructeur du MOS)).
Le point de fonctionnement du transistor MOS est à la fois sur la droite EMBED Equation.3 précédente car la relation EMBED Equation.3 doit être vérifiée, et en même temps sur une caractéristique du réseau de courbes EMBED Equation.3 du constructeur.
Estimer les valeurs de la tension EMBED Equation.3 et la valeur du courant EMBED Equation.3 si EMBED Equation.3 .
Corrigé :
Photo transistor et droite de charge (4 Pts)
a) Déterminer léquation de la droite de charge EMBED Equation.3 en fonction de EMBED Equation.3 .
Représenter cette droite de charge Sur le graphe ci-contre.
b) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec 1 mW/cm2 .
En déduire la valeur de EMBED Equation.3 dans ce cas
c) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec EMBED Equation.3 .
En déduire la valeur de EMBED Equation.3 dans ce cas.
Corrigé :
EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 . Le point de fonctionnement est donc sur la droite de charge EMBED Equation.3
Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 1 mW/cm2 : EMBED Equation.3
Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 10-3 mW/cm2 : EMBED Equation.3
Détecteur de lumière à phototransistor (9,5 Pts)
a) Assemblage de diodes
Le montage ci-contre est constitué de deux diodes en série avec une LED rouge. Chaque diode a une tension de seuil de 0,7 V. La LED rouge a une tension de seuil de 1,8 V.
Représenter sur le graphe ci-contre la caractéristique EMBED Equation.3 en fonction de la tension EMBED Equation.3 aux bornes de lensemble.
Pour ce dipôle constitué des deux diodes en série avec la LED, on adopte le modèle dune unique diode à seuil.
Préciser la valeur de la tension de seuil de cette diode équivalente.
b) Phototransistor et droite de charge
a) Déterminer léquation de la droite de charge du phototransistor EMBED Equation.3 en fonction de EMBED Equation.3 .
Représenter cette droite de charge Sur le graphe ci-contre.
b) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec 1 mW/cm2 . En déduire la valeur de EMBED Equation.3 dans ce cas
c) Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque le phototransistor est éclairé avec EMBED Equation.3 . En déduire la valeur de EMBED Equation.3 dans ce cas.
c) MOS et droite de charge
Lorsque la LED verte est passante, la tension à ses bornes est de 2 V.
Déterminer léquation de la droite de charge EMBED Equation.3 en fonction de EMBED Equation.3 (lorsque la LED verte est passante)
(type EMBED Equation.3 ).
Tracer cette droite sur le graphe ci-contre.
Faire figurer le point de fonctionnement sur le graphe ci-contre lorsque EMBED Equation.3 . En déduire les valeurs numériques de EMBED Equation.3 et de EMBED Equation.3 dans ce cas.
d) Détecteur de lumière
a) En conclusion de létude des trois parties du montage détecteur de lumière, compléter les valeurs numériques (approchées) dans les cases en pointillé lorsque le phototransistor est éclairé sous 1 mW/cm2.
(On prendra comme hypothèse que la LED rouge est bloquée)
b) Lhypothèse « la LED rouge est bloquée » est elle vraie ?
Corrigé :
a) Assemblage de diodes
Pour une valeur de ID donnée, la tension aux bornes de lensemble est la somme des tensions VD1, VD2 et VLED.
La tension de seuil de lensemble est de lordre de EMBED Equation.3
b) Phototransistor et droite de charge
EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 Le point de fonctionnement est donc sur la droite de charge EMBED Equation.3
Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 1 mW/cm2 : EMBED Equation.3
Lorsque le phototransistor ci-contre est éclairé avec 10-3 mW/cm2 : EMBED Equation.3
c) MOS et droite de charge
EMBED Equation.3 EMBED Equation.3
Au point dintersection de la droite de charge et de la caractéristique pour EMBED Equation.3 , on obtient un point de fonctionnement : EMBED Equation.3 et EMBED Equation.3
d) Détecteur de lumière
Lensemble LED rouge + D1 + D2 ne peut pas conduire si EMBED Equation.3 . Ceci est donc la conduction est impossible lorsque EMBED Equation.3
Circuit de commande dun afficheur 4 chiffres (8 pts)
Contexte de lexercice : (Sa lecture nest pas indispensable à la résolution de lexercice).
On veut afficher une valeur numérique constituée de 4 chiffres décimaux. Chaque chiffre est obtenu en sélectionnant certains segments dun « afficheur 7 segments ».
Chaque segment est réalisé avec une LED qui peut être allumée ou éteinte.
Il y a donc au total : 7x4 = 28 LED qui peuvent être commandées.
Pour minimiser le nombre de connections, on choisit de commander un seul afficheur à la fois en utilisant le principe du multiplexage.
Les 7 connections de pilotage des chiffres sont communes aux 4 afficheurs.
Il y a donc au total 7 + 4 = 11 liaisons pour commander les 28 LED des 4 afficheurs.
On a représenté ci-dessous la structure dune sortie parmi 7 du multiplexeur.
a)
Indiquer, dans les cadres ci-contre, le type de chaque transistor (T1, T2, T3 et T4).
Par exemple MOS canal P ou bien bipolaire PNP ou bien un autre type
b) Hypothèses :
Les valeurs des « Gate Threshold Voltage » des transistors MOS sont les suivantes :
MOS canal N : EMBED Equation.3 et MOS canal P : EMBED Equation.3
En régime ohmique, les transistors MOS se comportent comme des résistances de faible valeur : EMBED Equation.3
Les transistors bipolaires ont un EMBED Equation.3 et EMBED Equation.3
Le segment 4 de lafficheur A présente une tension EMBED Equation.3 lorsquil est passant.
On suppose que les 5 transistors ci-dessous fonctionnent en commutation.
Lorsque EMBED Equation.3 représenter sur le schéma ci-contre les flèches des tensions EMBED Equation.3 ou EMBED Equation.3 des transistors T1, T2, T3 et T4 en les accompagnant de leur valeur numérique.
En déduire dans le tableau ci-contre létat « passant » ou « bloqué » de chaque transistor.
Lorsque EMBED Equation.3 représenter sur le schéma ci-contre les flèches des tensions EMBED Equation.3 ou EMBED Equation.3 des transistors T1, T2, T3 et T4 en les accompagnant de leur valeur numérique.
En déduire dans le tableau ci-contre létat « passant » ou « bloqué » de chaque transistor.
Sachant que EMBED Equation.3 , calculer la valeur de la résistance de limitation EMBED Equation.3 qui assure un courant EMBED Equation.3 dans le segment dafficheur lorsque T3 et Ta sont saturés (On néglige les courants de base). (Le devoir se déroulant sans calculette, les valeurs ont été choisies de façon que les calculs soient très simples)
Corrigé :
En appliquant la loi des mailles : EMBED Equation.3 EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
Commande dun moteur par un hacheur réversible à 3 transistors (8 pts)
a).Commande de 3 types de montages à transistors en commutation.
On dispose de trois montages de base dans lesquels les transistors fonctionnent en commutation.
Montage 1Montage 2Montage 3
Indiquer dans le tableau ci-contre le type de chaque transistor
(NPN ; PNP ; MOS canal N ; MOS canal P)
Compléter les colonnes « T1, T2 et T3 » des tableaux ci-dessous en indiquant létat du transistor de chaque montage en fonction du niveau de tension en entrée ( EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ; EMBED Equation.3 ). On mettra la lettre « P » pour « passant saturé ou passant en zone ohmique » ou la lettre « B » pour « bloqué »
Pour les trois montages, compléter les colonnes « s1, s2 et s3 » des tableaux ci-dessous avec les valeurs de la tension de sortie (exprimée en Volt) correspondantes à chaque niveau des tensions dentrée e1, e2 et e3 () ()
b) On suppose toujours les transistors en commutation. En exploitant les résultats ci-dessus, compléter le tableau ci-dessous en indiquant létat (P ou B) des transistors présent dans le montage 4 et la valeur de la tension s4. ()
c) Application à la commande dun moteur courant continu.
Le montage 4 étudié précédemment est utilisé pour alimenter un moteur M (aucune connaissance des moteurs nest nécessaire pour répondre aux questions qui suivent).
Deux diodes D2 et D3 sont ajoutées.
On suppose que les transistors et les diodes fonctionnent en commutation avec un comportement idéal: lorsquils sont passants, ils se comportent comme des interrupteurs fermés, et lorsquils sont bloqués, ils se comportent comme des interrupteurs ouverts.
Montrer que D3 est nécessairement bloquée lorsque T2 est passant.
Commencer le raisonnement par la phrase « supposons D3 passante lorsque T2 est passant » et montrer que cette hypothèse est fausse ; ou commencer le raisonnement par « supposons D3 bloquée lorsque T2 est passant » et montrer que cette hypothèse est vraie
Le symbole représente un inverseur :
Lorsque T2 est commandé par une tension e2 suffisante pour le rendre passant (par exemple EMBED Equation.3 ), => T3 et D3 sont bloqués :
si is est positif : ! D2 est passante ;
si is est négatif : ! T2 est passant.
Lorsque T3 est commandé par une tension suffisante pour le rendre passant, => T2 et D2 sont bloqués :
si is est positif : ! T3 est passant
si is est négatif : ! D3 est passante.
Connaissant le graphe de EMBED Equation.3 , représenter ci-contre le graphe de la tension EMBED Equation.3 en concordance des temps.
Corrigé :
Supposons D3 passante lorsque T2 est passant. Ces deux composants engendrent un court-circuit entre le +20 V et la masse. EMBED Equation.3 . Le courant dans la diode est donc de sens inverse (de la cathode vers lanode) ; ce qui est impossible. Cette hypothèse est donc fausse.
Supposons D1 bloquée lorsque T2 est passant. La diode est alors polarisée en inverse sous une tension de EMBED Equation.3 . Cette hypothèse est donc vraie.
Si on suppose la diode passante, il faut vérifier le sens du courant qui la traverse.
Si on suppose la diode bloquée, il faut vérifier que la tension à ses bornes est inférieure à sa tension de seuil.
( ) « EMBED Equation.3 » peut aussi se noter « EMBED Equation.3 »
( ) « EMBED Equation.3 » peut aussi se noter « EMBED Equation.3 »
() On supposera EMBED Equation.3
() On supposera EMBED Equation.3
() On supposera EMBED Equation.3 et EMBED Equation.3
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1pt
1 pt
1 pt
1 pt
1 pt
0,2 mA
0,15 mA
0 mA
0,05 mA
10-3 mW/cm2
1 mW/cm2
5V
4
3
2
1
0,1 mA
0
VCE
IC
EMBED Equation.3
0
VS
EMBED Equation.3
5 V
10-3 mW/cm2
0,02 mW/cm2
0,2 mA
0,15 mA
0 mA
0,05 mA
1 mW/cm2
5V
4
3
2
1
0,1 mA
1 pt
Drain
Emetteur
Base
Grille
Source
Collecteur
1 pt
1,5 pt
+5 V
T2 ou D2 passant
T1 ou D1 passant
T1 ou D1 passant
0
t
t
e1
+20 V
vs
Montage 4
Charge
T3
s4
e1
0
T1
EMBED Equation.3
e2
T2
20 V
1 pt
20
0
B
P
0 V
5 V
s2
T2
e2
s2
e2
0
T2
20 V
1 pt
20
0
B
P
0 V
5 V
s1
T1
e1
s1
e1
0
T1
EMBED Equation.3
20 V
1 pt
1,5 pt
0V
20V
B
P
P
B
B
P
T1
5 V
0 V
e2
s4
0 V
5 V
T3
T2
e1
MOS canal P
MOS canal N
NPN
T1
T3
T2
0
T3
s3
e3
20 V
1 pt
20 V
20
0
P
B
s3
0 V
T3
e3
iD3
D3
D2
is
M
T3
e1
0
T1
EMBED Equation.3
20 V
vD3
e2
T2
-20 V
+5 V
0
t
t
e1
+20 V
vs
D3
D2
is
M
T3
e1
0
T1
EMBED Equation.3
20 V
vs
e2
T2
T1
5 V
0 V
e2
s4
0 V
5 V
T3
T2
e1
Montage 4
Charge
T3
s4
e1
0
T1
EMBED Equation.3
e2
T2
20 V
s3
0 V
20 V
T3
e33
0 V
5 V
s2
T2
e2
0 V
5 V
s1
T1
e1
Type de transistor
T1
T3
T2
0
T3
s3
e3
20 V
s2
e2
0
T2
20 V
s1
e1
0
T1
EMBED Equation.3
T4
T3
T2
T1
Ta : saturé
Segment 4 de lafficheur A
Ta
R4
I4
vs
Ve = 0 V
Rc
T4
T3
T2
T1
Vcc = 5V
T4
T3
T2
T1
Ta : saturé
Segment 4 de lafficheur A
Ta
R4
I4
vs
Ve = 5 V
Rc
T4
T3
T2
T1
Vcc = 5V
Rc
T4
T3
T2
T1
Vcc = 5V
vs
ve
I4
Commande du courant dans une LED dun afficheur
R4
Rc
Td
Tc
Tb
Ta
T4
T3
T2
T1
Vcc = 5V
Choix de lafficheur actif
Chiffre à afficher
Etage de la sortie N°4 du multiplexeur
20 V
1 pt
1,8 V
0,1 V
0,1 V
0,5 pt
0,5 pt
0,5 pt
0,5 pt
1 pt
bloqué
passant
bloqué
passant
-5 V
0,6 V
0 V
0V
T4
T3
T2
T1
Ta
R4
I4
vs
Ve = 0 V
Rc
T4
T3
T2
T1
Vcc = 5V
Bipolaire NPN
MOS canal N
(ou NMOS)
MOS canal P
(ou PMOS)
Rc
T4
T3
T2
T1
Vcc = 5V
MOS canal N
(ou NMOS)
0,5 pt
0,5 pt
0,5 pt
0,5 pt
1 pt
passant
bloqué
passant
bloqué
0 V
0 V
5 V
5 V
T4
T3
T2
T1
Ta : saturé
Segment 4 de lafficheur A
Ta
R4
I4
vs
Ve = 5 V
Rc
T4
T3
T2
T1
Vcc = 5V
1 pt
0
VCE
IC
EMBED Equation.3
e1
e2
0,5pt
1pt
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
VR
2,1 V
1 mW/cm2
4,8 V
D2
rouge
vert
RD
D1
e
5 V
EMBED Equation.3
1pt
0,5pt
0 mA
VGS < 2 V
VGS = 3V
VGS = 5 V
5V
4
3
2
1
10 mA
5 mA
0
VDS
ID
1pt
1pt
1pt
1pt
1pt
0,2 mA
0,15 mA
0 mA
0,05 mA
10-3 mW/cm2
1 mW/cm2
5V
4
3
2
1
0,1 mA
0
VCE
IC
1pt
1pt
ensemble
VD
ID
LED
D1 ou D2
3,2 V
1,8 V
0
0,7 V
VD
ID
VLED
VD2
VD1
VR
1 mW/cm2
D2
rouge
vert
RD
D1
5 V
EMBED Equation.3
ID
vert
VGS
VDS
RD 330 Wð
5 V
0 mA
VGS VGS4
VGS4 > VGS3
VGS3 > VGS2
VGS2 > VGS1
VGS1 > Vth
Zone ohmique : EMBED Equation.3
vDS
iD
VBE
VCE
IB
RC
IC
RB
12 V
VBE
VBE
VCE
IB
RC
IC
RB
10 V
e
1 pt
0,5 pt
0,5 pt + 0,5 pt
0,5 pt
0,82 mA
1
4
3
2
1
0
Ib (mA)
Vbe
(V)
Ib
B
A
Vbe
Rb
e
5
0,1
1
4
3
2
1
0
Ib (mA)
Vbe
(V)
Ib
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